高通發布高性能的中端晶片意圖壓制聯發科

2020-09-11

文章推薦指數： 80 %

投票人數：10人

在聯發科緊鑼密鼓的宣傳它預計明年初上市的中端晶片P40和P70的時候，高通也不閒著，其中高端晶片驍龍670預計明年初上市，而目前它已發布一款性能較驍龍630提升40%的中端晶片驍龍636，無疑意在壓制聯發科。

聯發科今年可謂是相當弱勢的一年，上半年發布的高端晶片helio X30僅有魅族採用，由於台積電的10nm工藝產能有限和優先照顧蘋果導致其中端晶片P35夭折，隨後臨時推出了兩款主要是升級基帶以迎合中國最大運營商中國移動的P23和P30，但是在性能方面僅與高通中端晶片驍龍625相當。

相比之下，高通今年可謂相當風光，高端晶片驍龍835廣受三星和中國大陸手機企業歡迎，紛紛採用這款晶片發布旗艦手機；中高端晶片驍龍660則被國產第二大手機企業OPPO買斷兩個月，到期後眾多手機企業紛紛採用這款晶片推出中高端手機。

中端手機晶片驍龍625從去年發布至今一直都廣受歡迎，中低端晶片驍龍4XX系列也被中國大陸手機企業採用。

即使被視為「萬年聯發科」的魅族也在今年發布了首款採用高通晶片的智慧型手機魅藍note6。

這幫助高通在中國大陸智慧型手機晶片市場的份額不斷躍升，今年二季度重奪中國智慧型手機晶片市場份額第一的位置，而聯發科的市場份額則持續下滑。

高通在這個時候發布這款性能提升約四成的中端晶片驍龍636，而且罕有的在中端晶片上也採用了自主架構kryo，可見它對中端市場的重視。

驍龍636與驍龍660均為八核kryo260架構，14nmFinFET工藝，主要的區別在於它們的核心頻率。

驍龍660的四個大核主頻為2.2GHz、四個小核主頻為1.8GHz，高通沒有公布驍龍636的核心頻率但有消息人士指它的主頻最高是1.8GHz，可被認為是驍龍660的縮水版。

聯發科將在明年發布的P40、P70採用12nmFinFET工藝生產，該工藝只是稍強於14nmFinFET工藝被認為是16nmFinFET的改進版；P40為雙核A73+四核A53架構，在性能方面估計要稍微落後於高通的驍龍660；P70未知其性能參數，推測為四核A73+四核A53架構，性能應稍強於驍龍660。

高通明年初上市的驍龍670將採用10nm工藝生產，性能方面將較驍龍660有較大的提升，估計壓制聯發科的P70不成問題，這樣它在高端市場和中高端市場將形成無人能敵的局面。

在中端市場則依靠驍龍660、驍龍636與聯發科競爭，在中低端還有驍龍4XX系列，在市場布局上贏得先手。

當然這也說明高通自身也面臨著相當大的壓力，而不得不大幅提升其中端晶片的性能，甚至不惜將它的高性能自主架構引入中端晶片。

市場現實似乎也體現了這一點，今年高通其實也發布了一款新的中端晶片驍龍630以取代驍龍625，不過並沒獲得太多手機企業的採用，據說到目前只有三款手機採用這款晶片，更多手機企業採用「舊款」的驍龍625，這應該也是迫使高通發布性能大幅提升的驍龍636的一個因素。

請為這篇文章評分？

2020-09-06

聯發科P30挑戰高通驍龍660不容易

上半年，聯發科在高通的猛烈攻勢以及自家的策略失誤下，不斷損失市場份額，在這樣的情況下其推出了採用12nmFinFET工藝的P30希望與高通的驍龍660競爭，那麼能有勝算麼？

高通發布高性能的中端晶片意圖壓制聯發科

文章推薦指數： 80 %

請為這篇文章評分？

相關文章

最新文章

相關網站資訊

華為被禁原因

無邊無際意思

華為 工廠

相關文章　

華為工廠