文章標籤：晶片結構GAAFET微縮盡頭哪裡

下一代晶片結構GAAFET，晶片微縮的盡頭在哪裡

文章推薦指數： 80 %
投票人數：10人

​

MOSFET，金屬氧化物半導體場效應電晶體，誕生於1959年。

MOSFET使得晶片從10U一直微縮至22NM。

在22NM時MOSFET已經不再適用。

其後出現了FD-SOI和FinFET兩種新的晶片結構。

FD-SOI，全耗盡SOI。

FinFET，鰭式場效應電晶體。

在英特爾、IBM等巨頭的主導下，現在大多數晶片以FinFET結構為主。

FinFET使得晶片從22NM微縮到7NM。

從1959年至今，從MOSFET到FinFET，晶片實現了100多倍的微縮。

然而FinFET發展到7NM，晶片製程的微縮再次遭遇了重大瓶頸。

許多專家認為，晶片已經無法再進行微縮，摩爾定律即將破產，晶片要繼續進行微縮必須要由矽基轉向非矽基。

但是，2017年，GAAFET出現了。

GAAFET, Gate-All-Around閘極環繞場效應電晶體。

在2017年IBM利用GAAFET實現了5NM晶片製程。

在今年5月份，在美國舉行的SFF 2018 USA之上，三星宣布將利用GAAFET結構，實現5nm、4nm、3nm工藝。

GAAFET的出現，讓晶片再次出現微縮的空間，使得晶片更小的NM製程成為可能。

晶片微縮的盡頭在哪裡呢，目前誰也沒有定論！

請為這篇文章評分？

相關文章　

「英特爾精尖製造日」來一場晶片技術大閱兵

一直以來，英特爾都是全球半導體行業的領軍者。然而近些年來，英特爾著力於在大數據、物聯網、無人駕駛、5G、人工智慧等領域的企業轉型，並且不斷地在推進這些全新應用領域的技術和產品的發布。相比以前，談...

閱讀更多

摩爾定律」真的不行了

摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的電晶體數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言...

閱讀更多