IBM新5納米晶圓技術 指甲蓋大小晶片集成300億電晶體
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目前,商業晶圓的製程為10納米,而IBM公布了最新的5納米製程工藝晶圓,指甲蓋大小的這種技術的晶圓可以集成大約300億顆電晶體。
晶片技術一直遵照摩爾定律在不斷發展,目前,晶片市場,14納米製程的晶圓為主流產品,在高端晶片市場,三星和英特爾推出了10納米技術晶片,2015年,IBM聯合「格羅方德」(GlobalFoundries)以及三星發布了7納米製程的測試晶片,指甲蓋大小的晶圓上可以容納200億個電晶體,7納米製程晶片有望在2019年投入商用。
從2011年開始,晶片行業普遍開始採用「鰭式場效應電晶體」(FinFET)架構,就是將控制電流通過的場效應電晶體閘門設計成類似魚鰭的叉狀3D架構,可於電路的左、右、上三側控制電路的接通與斷開。
這種架構不但縮小了晶圓面積,也降低晶圓消耗的電力,因而提高了晶圓上可容納的電子元件密度。
但是,IBM的研究者指出,鰭式場效應電晶體也存在一定的局限,比如,無法再繼續提高電晶體的密度。
IBM的5納米製程晶圓採用了「堆疊矽納米片」(stacked silicon nanosheets)架構,這種晶片能夠同時從四個電晶體閘門傳輸信號,比FinFET架構晶片多了一個閘門。
為了在這麼小的晶圓上放置這麼多的電晶體,IBM開發出了「超紫外線光刻技術」(Extreme Ultraviolet (EUV) lithography)。
和現有的10納米製程晶片相比,5納米工藝晶片性能提升了40%,耗電下降75%。
不過,10納米工藝晶片才面世,7納米工藝晶片投入商用也要等到2019年,相信5納米技術晶片上市至少還有4年時間
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