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三星成功研發3nm晶片，優勢明顯：功耗降低50%，性能提高30%

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歐界報導：

都說三星在努力追趕台積電的腳步，由於7nm節點激進的採用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比台積電要晚了一年。

所以在這之後，三星加快新工藝的進步，日前6nm工藝已經量產出貨，基於全柵級（GAAFET）技術的3nm和1nm的工藝晶片成功研發。

GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保新品製造商進一步縮小體積，所以三星計劃採用正在研發中的最新3nm GAA製程技術來製造尖端晶片的計劃。

GAA全能門和FinFET的區別在於GAA設計在溝道的四個邊上都有柵，以確保降低漏電壓合改善溝道的控制，是減少流程節點的基本步驟。

而與5nm的FinFET工藝製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

事實上，三星在一年前就開始研究3nm GAA工藝。

當時他們的目標是在2021年實現大規模生產，到2030年成為世界上第一家半導體製造商。

在未來十年里，三星將在系統半導體領域中投入133萬億韓元，加強移動處理器、人工智慧晶片等半導體設計，並培養代工事業競爭力，不得不說真的是野心勃勃。

​反觀對手台積電，該公司已經在規劃量產3nm工藝製程，其位於南科的3nm廠環評已於去年順利通關。

落腳在新竹的3nm研發廠房環評也順利通關初審，等到環評大會確認結論後，預計可順利趕上量產時程。

這樣看來到了2022年，台積電和三星又會上演一次「神仙打架」。

值得一提的是，三星6nm晶片或許將會供應給高通，而台積電的6nm晶片則會供應給華為海思，屆時高通驍龍、華為海思都將會推出一款中高端的5G晶片，他們都會採用6nm晶片工藝。

這意味著台積電、三星也將會再次在6nm晶片代工領域展現其最強悍的實力。

​比如華為海思將會在今年第二季度正式發布一款全新的中高端處理器——麒麟820。

該款處理器採用台積電6nm工藝製程，支持NSA/SA雙模5G網絡，還有望採用ARM A77架構以及G77大核。

與麒麟810相比，麒麟820不僅在性能、功耗、發熱、晶片工藝等各方面都全面碾壓高通驍龍中端處理器，還會再次力壓驍龍765G，成為新晉「最強中端晶片王者」。

近年來，三星和台積電都在加快晶片加工工藝的研發周期，以搶占先機來試圖爭奪更多的晶片代工市場。

而作為GAA技術的領頭羊，三星究竟能否藉由3nm工藝翻盤，讓我們拭目以待。

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