三星預計年底前量產7納米晶片 將首次使用EUV技術
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【環球網科技綜合報導】據外媒5月29日報導,三星電子最近宣布,計劃在今年年底前生產出基於7納米技術的晶片。
新的生產工藝將首次使用極端紫外線光刻(EUV)技術,是一種通過向矽片發射強烈光束而蝕刻出電晶體的技術,該技術可提升信息處理速度,縮小占用空間,減少功率。
GlobalFoundries和TSMC也已宣布計劃在明年推進EUV商業化。
三星銷售和營銷執行副總裁查理•貝在一份聲明中表示:「在過去一年裡,我們一直致力於完善EUV流程組合,我們必須為下一代晶片設計實現第一次矽技術的成功。
」
英特爾打算運用7 納米技術發展新的光刻工具,但該公司還沒有說明具體的研發計劃。
英特爾一直在努力完成10納米技術,這可能會讓它更易實現晶片上的擠壓電晶體。
上個月,英特爾承認了一直存在的產量問題,這將導致10納米的生產從今年下半年到明年呈下滑趨勢。
英特爾創始人戈登•摩爾曾提出摩爾定律,即可刻蝕在晶片上的電晶體數量大約每兩年增加一倍。
但晶片分離技術的發展說明這一定律顯然並不合理。
與此同時,在過去半個世紀中與摩爾定律共同促進半導體產業發展的國際半導體技術路線圖也被停用。
但近幾年,三星已經制定了自己的路線,計劃2021年前陸續將單位數節點降至3納米。
節點名稱並不代表晶片內電晶體的實際寬度。
三星說,3納米節點將使用全環繞電晶體製造技術,會產生里程碑式的影響。
去年,三星宣布計劃在4納米節點上使用全通電晶體,其全功能電晶體將基於納米片,以增強柵控,並顯著提高性能。
但一些分析人士表示,三星可能在 7nm結節。
(實習編譯:張晨 審稿:李宗澤)
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