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IBM和三星推出5nm工藝，為摩爾定律+1s

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導語：相比目前最先進的10nm晶片，5nm 原型晶片在額定功率下的性能可提升40%，或在同等性能下降低高達75%的能耗，而且成本更加低廉。

本文作者：劉偉

上周，Nvidia CEO黃仁勛在台北電腦展上表示摩爾定律已死（黃仁勛說摩爾定律已死，Nvidia要用人工智慧應對），不過IBM和三星有不同意見。

雷鋒網消息，日前，IBM聯合三星宣布了一項名為nanosheets的電晶體製造技術。

該技術拋棄了標準的 FinFET 架構，採用全新的四層堆疊納米材料。

這項技術為研發5nm晶片奠定了基礎。

IBM表示，藉助該項技術，晶片製造商可以在指甲蓋大小的晶片面積里，塞下將近300億個電晶體。

要知道，高通不久前發布的採用10nm工藝的旗艦晶片驍龍835，也才不過集成了30億個電晶體。

5nm晶片將採用與7nm晶片相同的紫外線光刻技術。

不過與現有技術相比，新一代工藝的光波能量將高出許多，同時還支持在製造過程中持續調節晶片的功耗和性能。

IBM表示，相比目前最先進的10nm晶片，5nm 原型晶片在額定功率下的性能可提升40%，或在同等性能下降低高達75%的能耗，而且成本更加低廉。

不過鑒於10nm工藝也才剛剛投入商用不久，7nm晶片則要等到2019年，5nm工藝仍然需要漫長的等待。

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