Global Foundries落子成都，中國再添一座12英寸晶圓廠

2月10日，格芯(GLOBALFOUNDRIES)與成都市政府在成都高新區宣布合作，正式啟動12英寸晶圓生產製造基地，投資規模累計超過100億美元。

就此，中國西南地區第一座12英寸晶圓廠開建。

據了解，本次投資包括93億美元代工廠的投資，以及生態系統、基礎設施等，加起來總投資額超過100億美元。

「這將是中國最大的邏輯晶片代工廠，每年100萬晶圓產量，也將是格芯在全球最大的工廠。

」在採訪中，格芯執行長Sanjay Jha表示。

根據不完全統計，我國目前有11座12英寸晶圓廠投產，包括SK海力士的2座、華力微的1座、聯芯集成的1座、三星電子的1座、武漢新芯的1座、英特爾的1座、中芯國際的4座。

另外，新建的12英寸晶圓廠還有武漢新芯投資240億美元的存儲器基地項目、台積電南京的12英寸廠、福建晉華12英寸存儲器集成電路生產線項目、中芯國際北方新建的B3廠、上海投資675億元的12英寸晶圓產線、深圳的12英寸晶圓產線、上海華力微電子投資387億元的上海新12英寸晶圓廠等。

引入22nm FD-SOI

「成都的12英寸晶圓生產基地未來月產能將達8.5萬片。

」GlobalFoundries新加坡運營部高級副總裁兼總經理KC Ang告訴《中國電子報》記者。

一期將建設主流CMOS工藝12英寸晶圓生產線，主要工藝為0.18um/0.13um，相關工藝技術主要從新加坡廠轉來，設備也將有一部分來自新加坡，預計於2018年年底投產，月產能2萬片。

KC Ang表示，0.13um良率高、成本好，並且產能最緊張，可應用領域廣，中國客戶都希望他們儘快在成都生產。

「現在市場上對於0.18um/0.13um的需求還是非常大的。

特別是一些電源和RF設計，很多還是在0.18um/0.13um上。

」Sanjay Jha說。

二期將建設目前格芯最新的22FDX 22nm FD-SOI 工藝12英寸晶圓生產線，相關工藝將於2018年下半年從德國德勒斯登工廠Fab1進行技術轉移，設備全新採購，預計2019年第四季度投產，月產能6.5萬片。

格芯將與成都一起建立生態系統，預計為成都引入較為完善的IP\EDA設計服務，以更好地支持22FDX系統。

Sanjay Jha表示，一期和二期的投資比例大約為1：9，格芯沒有計劃在成都引入FinFET工藝，而是要在22nm FD-SOI的工藝上走下去。

目前，22nm FDX已在德國德勒斯登工廠進行少量量產，該工廠已經開始新一代12nm FDX的技術研發。

據了解，引入中國工廠的22nm FD-SOI將主要應用在中低端智慧型手機、物聯網、RF射頻、汽車等方面，將先在德國廠進行工藝驗證，成都廠建好後，再直接把需求帶入成都。

成都搶親?

去年5月31日，格芯曾與重慶市簽署合作諒解備忘錄，欲與重慶市政府成立合資企業，在中國新建一座12英寸晶圓廠。

之後曾傳出合作破裂的消息。

如今，仍是建12英寸晶圓廠，合作方卻轉換成了成都市。

「成都可以同時進行0.18um/0.13um和22nmFDX兩種不同的工藝製作路線，並且進行更大規模的生產，使生產更有效。

另外，成都更適合發展Fab產業，讓我們可以在成都當地共同創造出一個更大的電子產業。

」 Sanjay Jha表示。

此前，成都曾建立西部首個8英寸晶圓廠，但結局並不美好。

如今，除今天已經宣布的格芯12英寸晶圓廠外，去年年底還曾傳出紫光欲在成都建設12英寸晶圓廠的消息。

芯謀研究顧文軍此前曾提出觀點，認為Foundry做為重資產產業，12英寸晶圓廠動輒涉及幾百億元的投資、強大持續的經濟實力、充沛專業的人才積累、全面紮實的產業基礎、自主可控的市場需求、上下一致的決心信心、接連幾屆的政府支持，因此要謹慎同時啟動兩到三條12英寸晶圓廠。

全球調整布局

格芯是全球晶圓代工第二大廠商。

按照IC Insights 的預測數據，2016年格芯仍以11%的市場占有率牢牢占據全球第二的位置，營收為55.45億美元。

相比來說，全球代工龍頭台積電營收為294.88億美元，市場占有率59%;第三名的台灣聯華電子營收為45.82億美元，市場占有率9%。

今天，格芯也公布了其全球製造業務版圖的擴展計劃。

格芯計劃在紐約工廠的14nm FinFET工藝產能提升20%，並將於2018年初啟用一條全新的晶圓生產線;德國工廠將增加22nm FDX工藝的生產，預計未來三年產能將提升40%;新加坡工廠將增加35%的12英寸晶圓廠40nm工藝產能。

之所以這次在中國的12寸晶圓廠沒有選擇40nm/ 55nm工藝，是因為格芯已經看到一些40nm的需求向22nmFDX上轉移。

而格芯的新加坡廠已有40nm/55nm的生產，因此根據需求預測，在成熟工藝上格芯選擇了0.18um/0.13um。

目前，格芯的22nm FD-SOI每年有120萬晶圓的產量。

「22nm FDX類似於FinFET性能，成本和28nm FinFET相當。

我們正在研發的12nm FDX，但比FinFET小35%，性能提升25%。

12nmFDX將於2018年第二季度流片，2019年生產。

」Sanjay Jha指出。

格芯的14nm FinFET製程是引進三星技術授權，在7納米上，格芯首席技術官Gary Patton也曾告訴《中國電子報》記者，未來將會專注於7納米。

本次，《中國電子報》記者也了解到，格芯紐約Fab8晶圓廠計劃在2018年第二季度開始7納米工藝生產。