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三星公司已開始生產製造7nm LPP晶圓

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三星已確認已在其新的7LPP節點上開始生產晶圓。

三星公司已開始生產製造7nm LPP晶圓（圖片來自：hexu）

7nm低功耗Plus採用極紫外（EUV）光刻技術，並證明三星的Foundry可以遵循其「3nm的明確路徑」的路線圖。

三星電子的銷售及營銷團隊執行副總裁Charlie Bae表示：「隨著EUV工藝節點的引入，三星在半導體行業正引領了一場無聲的發展潮流。

」同時，還說明了UEV流程如何實現「晶圓製造方式的根本轉變」，以及在未來將幫助工廠客戶提升移動和HPC產品的使用效能。

新的7nm工藝需要5G、人工智慧、企業和超大規模數據中心承載，將帶動物聯網、汽車等領域的發展。

三星使用的EUV技術使用13.5nm波長的光來曝光矽晶片，與傳統的氟化氬（ArF）浸沒技術相比有顯著提升。

此外，對於EUV，可以製作單個掩模，以便在同一工作中ArF可能需要多達四個掩模。

總體而言，與其前代的10nm FinFET相比，三星的新7nm LPP工藝具有以下優勢：

面積效率提高40％

性能提升高達20％

降低高達50％的功耗

層數明顯減少

產量更高

目前，EUV生產已經在三星位於韓國S3 Fab開始，該技術預計將在2020年實現大批量生產，預計新的EUV產能將得到保障。

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