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三星工藝技術路線圖

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三星工藝技術與解決方案：三星電子是全球先進半導體技術的領導者，宣布了全面的鑄造工藝技術路線圖，幫助客戶設計和製造更快，更節能的晶片。

從超大型數據中心到物聯網，行業發展智能，永遠在線的連接設備的趨勢要求消費者以新的和強大的方式獲得前所未有的信息。

具體來說，三星將在其最新的工藝技術路線圖中引領業界領先的8nm，7nm，6nm，5nm，4nm和18nm FD-SOI。

三星鑄造的先進工藝技術路線圖證明了我們客戶和生態系統合作夥伴關係的協同性。

2017年工藝技術路線圖

三星電子代工業務執行副總裁Jong Shik Yoon表示：「智能連接機器和日常消費者設備的普遍性質表明了下一次工業革命的開始。

「為了在當今快節奏的業務環境中成功競爭，我們的客戶需要一個鑄造合作夥伴，在高級流程節點上實現全面的路線圖，以實現其業務目標和目標。

」Yoon補充說。

三星技術路線圖2017

三星在三星鑄造論壇上推出的最新鑄造工藝技術和解決方案包括：

8LPP - 8nm低功耗Plus

8LPP在轉變為EUV（極紫外）光刻技術之前提供了最具競爭力的擴展優勢。

結合三星10nm技術的關鍵流程創新，8LPP與10LPP相比，在性能和門密度方面提供了額外的優勢。

7LPP - 7nm低功耗Plus

7LPP將是第一個使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術。

通過三星和ASML的合作，開發了250W最大EUV源功率，這是EUV插入大量生產的最重要的里程碑。

EUV光刻部署將打破摩爾定律擴展的障礙，為單一納米半導體技術的發展鋪平了道路。

6LPP - 6nm低功耗Plus

6LPP將採用三星獨特的智能縮放解決方案，該解決方案將被納入基於EUV的7LPP技術之上，可實現更大面積擴展和超低功耗優勢。

5LPP - 5nm低功耗Plus

5LPP通過實施下一代生產4LPP的技術創新，擴展了FinFET結構的物理尺寸限制，以實現更好的縮放和功耗。

4LPP - 4nm低功耗Plus

4LPP將是下一代器件架構 - MBCFETTM結構（Multi Bridge Channel FET）的首個實現。

MBCFETTM是三星獨特的GAAFET（Gate All Around FET）技術，它使用Nanosheet器件來克服FinFET架構的物理尺寸和性能限制。

FD-SOI - 絕緣體上完全消耗矽

三星將通過融合RF（射頻）和eMRAM（嵌入式磁隨機存取存儲器）選項，將其28FDS技術逐步擴大到更廣泛的平台產品，非常適合物聯網（IoT）應用。

18FDS是三星FD-SOI路線圖的下一代節點，具有增強的PPA（功率/性能/面積）。

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