吊打台積電！三星將在年底正式推出低功耗11nm LPP工藝技術產品
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三星是世界半導體技術領域的領導者，今天三星宣布其先進的鑄造工藝組合增加了新的11納米FinFET工藝技術(11LPP，低功耗)，為客戶下一代產品提供了更廣泛的的選擇。
通過對14LPP的改進，11LPP的性能提高了15%，而晶片面積減少了10%。
除了針對旗艦智慧型手機的移動處理器的10nm FinFET工藝之外，三星預計其11nm工藝會將差異化的價值帶入中高端智慧型手機。
新工藝技術預計將於2018年上半年投入生產。
三星還證實，將在2018年下半年開始生產7LPP(極端紫外線)光刻技術。
自2014年以來，三星已經使用EUV光刻技術處理了近20萬個晶片，最近在開發過程中看到了可見的結果，例如為256 Mb SRAM（靜態隨機存取存儲器）實現80％的產量。
三星的《鑄造路線圖》最近更新的細節，包括11LPP和EUV的開發，將於2017年9月15日在東京舉行的三星鑄造論壇上詳細闡述。
三星鑄造論壇今年早些時候在美國和韓國舉行，與全球客戶和合作夥伴共享三星的尖端工藝技術。
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