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三星的晶片工藝路標：2022年在其晶片上採用3nm工藝製程技術

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圖1、三星 在2022年將在其晶片上採用3nm工藝製程技術

上周，三星在美國舉辦了年度Foundry（晶片代工）論壇。

在此次活動中，該公司透露了一個晶片技術演進路線圖，其工藝技術將採用7nm低功耗Plus（Low Power Plus）技術，5nm早期低功耗（Low Power Early，LPE ）技術以及3nm Gate-All-Around Early / Plus技術。

7nm LPP工藝將是三星首次使用EUV光刻解決方案，並且三星應該在今年下半年將其投入生產。

採用新工藝的零部件大規模生產將於2019年上半年開始。

當競爭對手台積電將開始使用其7nm +節點（也使用EUV光刻技術）開始批量生產零件時，三星開始對其5nm工藝節點進行風險生產。

圖2、三星的工藝技術路標

基於三星5nm LPE的晶片將提供超低功耗。

採用FinFET半導體工藝的最後一款晶片將採用4納米低功耗早期/增強工藝（Low Power Early/Plus process）生產。

採用這種工藝技術製造的晶片將具有更高的性能和更小的單元尺寸。

這兩種晶片製程工藝將分別於2019年和2020年開始用來生產晶片。

今年早些時候，我們通過了韓國的一份報告，稱三星今年將生產7納米Snapdragon（驍龍） 855移動處理器平台，據報導它將為明年的三星Galaxy S10旗艦手機提供處理動力。

圖3、三星今年將為高通生產7nm的處理器晶片

從3nm節點開始，三星將使用其自己的下一代GAA（Gate all-around）架構MBCFET（多橋溝道FET，multi-bridge-channel FET）。

3nm產品預計將在2022年前開始生產。

請記住，節點尺寸越小，使用該工藝生產的晶片功能越強大而且更節能。

（完）

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