文章標籤：光刻機EUV引入首次工藝量產

為了2017年量產7nm工藝，三星首次引入了EUV光刻機

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三星、TSMC發力新一代工藝，不僅10nm工藝量產時間超過Intel，下下代的7nm節點上也在摩拳擦掌，這兩家爭著在明年搶先量產，而三星更是第一家引入量產型EUV光刻機，後者是製造7nm及5nm處理器的關鍵設備。

由於半導體工藝越來越複雜，Intel的「Tick-Tock」鐘擺戰略已經放緩，從2年升級一次工藝變成了3年一次，10nm工藝已經延後到了2017年下半年。

Intel腳步放慢，三星、TSMC可算是得到超越的機會了，原本跟在Intel後面的它們發力新一代工藝，不僅10nm工藝量產時間超過Intel，下下代的7nm節點上也在摩拳擦掌，這兩家爭著在明年搶先量產，而三星更是第一家引入量產型EUV光刻機，後者是製造7nm及5nm處理器的關鍵設備。

先進半導體製造工藝越來越困難，原有的技術手段已經不適用，製造10nm以下的電晶體需要極其複雜的工藝和設備，ASML的EUV光刻機就是其中的關鍵，EUV代表極紫外光，波長193nm 13nm（波長越短，光刻解析度越高，電晶體就越小），可用於製造10nm及以下工藝的晶片，但EUV光刻機研發了這麼多年，進度並不如預期那麼順利，此前樂觀的預測甚至說14nm節點就能用上EUV技術，但現實很骨感，10nm節點都註定沒戲了。

三星、TSMC都想搶在Intel之前量產7nm工藝，此前TSMC準備在7nm節點啟用EUV工藝，並耗資引進EUV光刻機，但目前的情況來看TSMC已經把EUV量產放在了5nm工藝上。

現在三星接過了EUV搶先的勢頭，ASML公司CEO已經確認三星上周購買了EUV光刻機NXE3400，這將是EUV光刻機的正式量產型號。

從設備安裝到開始生產，至少要2-3個季度，這意味著三星的7nm工藝會爭取在明年推出，按照之前的發展過程來看，明年底三星可能會宣布量產7nm工藝——雖然實際上可能只是小批量生產，真正的大規模量產可能還要等到2018年之後。

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