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三星今天宣布11nm新工藝 7nm明年下半年或將試產

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據快科技報導三星電子今天宣布了新的11nm FinFET製造工藝「11LPP」(Low Power Plus)，並確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。

三星公布EUV技術7、11納米LPP工藝，明年開始投產

三星新加入了11nm LPP工藝，其實就是改良後的14nm LPP馬甲，不過性能提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。

除了在旗艦手機晶片上使用10nm FinFET工藝外，三星還打算將11nm工藝處理器使用在中高端手機，11nm工藝計劃在2018年上半年投產。

三星還證實採用EUV光刻技術的7nm LPP工藝晶片正在開發當中，目標是在2018年下半年投產。

三星表示，10nm用於旗艦手機，11nm用於中高端，形成差異化，預計2018年上半年在市場投放。

業界普遍認為7nm工藝是一個重要節點，是半導體製造工藝引入EUV技術的關鍵轉折，這是摩爾定律可以延續到5nm以下的關鍵；引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩數量等製造過程，節省時間和成本。

在7nm工藝上的競爭，可能會引發全球兩大晶片企業高通和蘋果訂單的變動，業界傳出消息指高通很可能將其明年的高端晶片驍龍845交給台積電，而三星則可能奪得蘋果A12處理器的訂單。

11LPP工藝將填補三星14nm、10nm之間的空白，號稱可在同等電晶體數量和功耗下比14LPP工藝提升15％的性能，或者降低10％的功耗，另外電晶體密度也有所提高。

另有報導稱，在那之前的明年上半年，三星會首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV。

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