7nm工藝關鍵設備EUV光刻機產能提升，但離量產還很遠
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現在半導體公司已經進軍10nm工藝，但新工藝需要全新的設備。
EUV即紫外光刻機就是製程突破10nm及之後的7nm、5nm工藝的關鍵，現在ASML公司的EUV光刻機正在不斷提高產能和可靠性，但距離量產還有一段距離。
我們都知道半導體工藝越先進越好，用以衡量工藝進步的就是線寬，常說的xxnm工藝就代表這個，這個數字越小就代表電晶體越小，電晶體密度就越大。
現在半導體公司已經進軍10nm工藝，但面臨的物理限制越來越高，半導體工藝提升需要全新的設備。
EUV極紫外光刻機就是製程突破10nm及之後的7nm、5nm工藝的關鍵，現在ASML公司的EUV光刻機正在不斷提高產能和可靠性，但距離量產還有一段距離。
EUV要想獲得突破，需要不斷提升光源強度和可靠性。
來自EE Times的報導稱，荷蘭ASML及TSMC台積電在上周宣布他們的原型機上測試了85W光源，之後很快會提升到125W。
ASML之前演示過185W光源的EUV光刻機，並許諾年底前會進一步提高到250W。
現在的EUV光刻機可靠性已經提高到了有70%的工作時間，每天可以處理500-600個晶圓，相比去年的情況已經有很大改善，但這遠遠不夠量產水平。
ASML公司EUV項目總監Frits van Hout表示現在距離EUV應該達到的水平還有2-3步。
現在出貨的EUV光刻機會升級，預計今年底達到應有的水平。
晶片製造商預計會在2018年使用EUV工藝生產晶片，屆時ASML的EUV光刻機有助於降低7nm工藝的成本。
雖然EUV工藝確實實現了預定目標，但由於產能和可靠性的問題，該項目已經多次延期，到了5nm及3nm節點，EUV可能還需要一次升級。
ASML正為此與相關方討論具體的配置和時間細節。
值得一提的是，目前在EUV工藝上，TSMC比Intel要積極得多，此前TSMC就表示會在10nm工藝上使用EUV工藝，而Intel表示過就算沒有EUV工藝，他們也懂得如何製造晶片。
不過如果EUV工藝真的能如期量產，Intel也會在7nm節點上啟用EUV工藝。
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