摩爾定律說矽基晶片物理極限7nm，為何台積電能做5nm晶片？
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晶片裡面有數億計的電晶體，它的結構主要是由漏極、源極和柵極構成的，漏極和源極負責電流流通，柵極就起到開關控制的作用。
像晶片的納米其實就是電晶體柵極的寬度，柵極更短，同尺寸的晶圓上就可以加入更多的電晶體。
像7納米的晶片，柵極已經達到了極限，再縮短的話就會使電子移動的距離不夠，出現漏電的現象發生。
從當前晶片製造來看，要實現摩爾定律，晶片製造工藝必須不斷提升。
工藝節點從90nm、65nm、40nm、28nm、16nm到現在的7nm，晶片廠家不遺餘力地減小電晶體柵極寬度來達到工藝的升級，但到了7nm之後，電晶體的漏電問題越來越嚴重，單純靠減少電晶體柵極寬度的方法已經無法提升晶片製造工藝。
這個時候各廠家各顯神通，採用不同的方法解決漏電問題。
intel的高介電薄膜、SOI、鰭式場效電晶體技術等等技術應運而生。
不過難度越來越大，各大廠家受阻嚴重，GlobalFoundaries放棄7nn研發，intel的10nm一推再推，目前7nm量產順利的主要就是台積電和三星了。
從理論上，這種推斷也是站不住腳的，凡事都有個極限，當越接近極限更進一步就要比前面困難得多，所需的時間也更長。
晶片的製程，如提問中的矽5納米，和摩爾定律沒有任何關係，儘管摩爾定律是一個錯誤的個人臆斷。
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