簡單來說,我們常聽到的 22nm、14nm、10nm 究竟是什麼意思?
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如題,先從大廠說起。
目前晶片廠商有三類:IDM、Fabless、Foundry。
IDM(集成器件製造商)指 Intel、IBM、三星這種擁有自己的晶圓廠,集晶片設計、製造、封裝、測試、投向消費者市場五個環節的廠商,一般還擁有下游整機生產。
Fabless(無廠半導體公司)則是指有能力設計晶片架構,但本身無廠,需要找代工廠代為生產的廠商,知名的有 ARM、NVIDIA、高通、蘋果和華為。
Foundry(代工廠)則指台積電和 GlobalFoundries,擁有工藝技術代工生產別家設計的晶片的廠商。
我們常見到三星有自己研發的獵戶座晶片,同時也會代工蘋果 A 系列和高通驍龍的晶片系列,而台積電無自家晶片,主要接單替蘋果和華為代工生產。
製程
在描述手機晶片性能的時候,消費者常聽到的就是 22nm、14nm、10nm 這些數值,這是什麼?
這是晶片市場上,一款晶片製程工藝的具體數值是手機性能關鍵的指標。
製程工藝的每一次提升,帶來的都是性能的增強和功耗的降低,而每一款旗艦手機的發布,常常與晶片性能的突破離不開關係。
驍龍 835 用上了更先進的 10nm 製程, 在集成了超過 30 億個電晶體的情況下,體積比驍龍 820 還要小了 35%,整體功耗降低了 40%,性能卻大漲 27%。
深入來說,這幾十納米怎麼計算出來的?我們從晶片的組成單位電晶體說起。
得益於摩爾定律的預測,走到今天,比拇指還小的晶片里集成了上億個電晶體。
蘋果 A10 Fusion 晶片上,用的是台積電 16nm 的製造工藝,集成了大約 33 億個電晶體。
而一個電晶體結構大致如下:
圖中的電晶體結構中,電流從 Source(源極)流入 Drain(漏級),Gate(柵極)相當於閘門,主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。
電流會損耗,而柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗,表現出來就是手機常見的發熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。
而柵極的最小寬度(柵長),就是 XX nm工藝中的數值。
對於晶片製造商而言,主要就要不斷升級技術,力求柵極寬度越窄越好。
不過當寬度逼近 20nm 時,柵極對電流控制能力急劇下降,會出現「電流泄露」問題。
為了在 CPU 上集成更多的電晶體,二氧化矽絕緣層會變得更薄,容易導致電流泄漏。
一方面,電流泄露將直接增加晶片的功耗,為電晶體帶來額外的發熱量;另一方面,電流泄露導致電路錯誤,信號模糊。
為了解決信號模糊問題,晶片又不得不提高核心電壓,功耗增加,陷入死循環。
因而,漏電率如果不能降低,CPU 整體性能和功耗控制將十分不理想。
這段時間台積電產能跟不上很大原因就是用上更高製程時遭遇了漏電問題。
還有一個難題,同樣是目前 10nm 工藝晶片在量產遇到的。
當電晶體的尺寸縮小到一定程度(業內認為小於 10nm)時會產生量子效應,這時電晶體的特性將很難控制,晶片的生產難度就會成倍增長。
驍龍 835 出貨時間推遲,X30 遙遙無期主要原因可能是要攻克良品率的難關。
另外,驍龍 835 用上了 10nm 的製程工藝,設計製造成本相比 14nm 工藝增加接近 5 成。
大廠需要持續而巨大的資金投入到 10nm 晶片量產的必經之路。
就目前階段,三星已經嘗試向當前的工藝路線圖中添加 8nm 和 6nm 工藝技術,台積電方面則繼續提供 16nm FinFET 技術的晶片,開始著力 10nm 工藝的同時,預計今年能夠樣產 7nm 工藝製程的晶片。
FinFET
除了製程,還有工藝技術。
在這一代驍龍 835 上,高通選擇了和三星合作,使用三星最新的 10nm FinFET 工藝製造。
同樣,三星自家的下一代旗艦獵戶座 8895 用的也是用此工藝。
FinFET 是什麼?
業界主流晶片還停留在 20/22nm 工藝節點上的時候,Intel 就率先引入了 3D FinFET 這種技術。
後來三星和台積電在 14/16nm 節點上也大範圍用上了類似的 FinFET 技術。
下面我們統稱為 FinFET。
FinFET(Fin Field-Effect Transistor)稱為鰭式場效應電晶體,是一種新的電晶體,稱為 CMOS。
具體一點就是把晶片內部平面的結構變成了3D,把柵極形狀改制,增大接觸面積,減少柵極寬度的同時降低漏電率,而電晶體空間利用率大大增加。
因為優勢明顯,目前已經被大規模應用到手機晶片上。
經歷了 14/16nm 工藝節點後,FinFET 也歷經升級,但這種升級是存在瓶頸的。
目前,大廠們正研究新的 FD-SOI(全耗盡絕緣體矽)工藝、矽光子技術、3D 堆疊技術等,斥資尋求技術突破,為日後 7nm、甚至 5nm 工藝領先布局。
LPE/LPP/LPC/LPU 又是什麼?
在工藝分類上,晶片主要分兩大類:
- HP(High Performance):主打高性能應用範疇;
- LP(Low Power):主打低功耗應用範疇。
滿足不同客戶需求,HP 內部再細分 HPL、HPC、HPC+、HP 和 HPM 五種。
HP 和 LP 之間最重要區別就在性能和漏電率上,HP 在主打性能,漏電率能夠控制在很低水平,晶片成本高;LP 則更適合中低端處理器使用,因為成本低。
所以,晶片除了在製程上尋求突破,工藝上也會逐步升級。
2014 年底,三星宣布了世界首個 14nm FinFET 3D 電晶體進入量產,標誌著半導體電晶體進入 3D 時代。
發展到今天,三星擁有了四代 14nm 工藝,第一代是蘋果 A9 上面的 FinFET LPE(Low Power Early),第二代則是用在獵戶座 8890、驍龍 820 和驍龍 625 上面的 FinFET LPP(Low Power Plus)。
第三代是 FinFET
LPC,第四代則是目前的 FinFET LPU。
至於 10nm 工藝,三星則更新到了第三代(LPE/LPP/LPC)。
目前為止,三星已經將 70000 多顆第一代 LPE(低功耗早期)矽晶片交付給客戶。
三星自家的獵戶座 8895,以及高通的驍龍 835,都採用這種工藝製造,而 10nm 第二代 LPP 版和第三代 LPU 版將分別在年底和明年進入批量生產。
不知不覺,手機晶片市場上已經進入了 10nm、7nm 處理器的白熱化競爭階段,而 14/16nm 製程的爭奪也不過是一兩年前的事。
之前有人懷疑摩爾定律在今天是否還適用,就晶片的進化速度和技術儲備來看,不是技術能力達不到,而是廠商們的競爭程度未必能逼迫它們全速前進。
題圖來自:qbn
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