手機處理器的nm製造工藝到底是什麼？
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近幾年來，國內外企業都在大陸瘋狂建設晶圓廠（晶圓是製造半導體晶片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是矽，因此對應的就是矽晶圓。
還記得紅極一時的美國矽谷麼？），納米技術也是一路升級更新。
去年9月份，全球頂尖的晶圓代工廠台積電宣布計劃在台灣建設3納米製程廠，雖然有人說5納米/3納米將會面臨很多技術難題，可是解決了難題之後技術才會成長。
那麼製造工藝到底是什麼呢？晶片的製造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示。
現在的CPU內集成了以億為單位的電晶體，這種電晶體由源極、漏極和位於他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
而所謂的多少nm其實指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度，也被稱為柵長。
柵長越短，則可以在相同尺寸的矽片上集成更多的電晶體——Intel曾經宣稱將柵長從130nm減小到90nm時，電晶體所占得面積將減小一半；在晶片電晶體集成度相當的情況下，使用更先進的製造工藝，晶片的面積和功耗就越小，成本也越低。
柵長可以分為光刻柵長和實際柵長，光刻柵長則是由光刻技術所決定的。
由於在光刻中光存在衍射現象以及晶片製造中還要經歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟，因此會導致光刻柵長和實際柵長不一致的情況。
另外，同樣的製程工藝下，實際柵長也會不一樣，比如雖然台積電跟三星也推出了10nm製程工藝的晶片，但其晶片的實際柵長和Intel的10nm製程晶片的實際柵長依然有一定差距。
並且差距還是不小的
歸根結底，未來會出現幾納米的製造工藝尚不確定，但是科技在發展，人類在進步是有目共睹的。
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