英特爾宣布可在 1 平方毫米中塞下 1 億個電晶體

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4 月 1 日消息,本周二,英特爾邏輯技術部門副主席 Kaizad Mistry 宣布,他們已經有能力在 1 平方毫米中塞下 1 億個電晶體,「絕對是行業歷史上史無前例的。

今年一月份英特爾在總結 10nm 晶片路線圖時,還沒有公開電晶體的具體尺寸。

不過本周,最終數據終於出爐,英特爾的 10nm 節點將鰭片間距做到了 34nm,而最小金屬間距則做到了 36nm(這兩個數據在 14nm 節點時分別為 42nm 和 52nm)。

如果採用這種標準來計算,英特爾最近幾年都是兩倍兩倍的提升電晶體密度。

舉例來說,22nm 進化為 14nm 的時候,電晶體密度提升了 2.5 倍,14nm 進化為 10nm 時,密度則又提升了 2.7 倍。

最重要的是,10nm 晶片在運算速度和功耗上有了較大進步。

不過,英特爾這種度量方法到底能不能在整個業界推行現在還是個未知數。

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