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10nm突襲!英特爾宣布可在1平方毫米中塞下1億個電晶體
英特爾邏輯技術部門副主席Kaizad Mistry在本周二宣布:英特爾已經有能力在1平方毫米中塞下1億個電晶體,並稱之為行業歷史上史無前例的里程碑式進步。
每平方毫米一億隻電晶體,難產的英特爾10納米工藝有多先進
集成電路技術經過幾十年的高速發展之後,工藝發展速度已經逐漸放緩。特別是現在的集成電路加工工藝已經進入納米時代,隨著電路寬度越來越接近電子的波長,由於量子效應,電子隧穿現象的影響,要保持摩爾定律...
華為麒麟1020配置再曝:5nm成就每平方毫米1.713億個電晶體
12月17日消息,前不久高通發布了驍龍765/765G/865三款處理器,而華為作為高通的對手,現在關於華為下一代麒麟旗艦也開始頻繁爆料,業內預計該晶片很有可能會在明年下半年的Mate 40系列...