IBM獲5 nm晶片突破 手機續航提升2、3倍
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摩爾定律已死?IBM 與其晶片合作夥伴 Globalfoundries 和三星可不同意。
日前,IBM 宣布,三家研發了一種電晶體製造技術,將為 5 nm 晶片鋪平道路。
雖然團隊所使用的晶片蝕刻技術與 7 nm 晶片同為極紫外光刻(EUV),但卻沒有採用有利於矽納米片堆疊的鰭式場效應電晶體(FinFET)設計。
據 IBM 介紹,新技術能夠將更多的電晶體容納到更小的晶片組裡,據稱一塊指甲蓋大小的晶片上集成電晶體數量可達 300 億,比起幾年前 7 nm 晶片集成 200 億個電晶體的突破也毫不遜色。
IBM認為該技術有助於其重要戰略支柱之一認知計算(Cognitive Computing)的研發以及物聯網和其他「數據密集型計算」任務的執行。
當然,公司也為移動設備的未來繪製了一個美好的畫面:除了降低成本,提升性能等優勢之外,未來手機設備的續航也可增長 2 到 3 倍,而這一點也是目前眾多手機製造商所關注的一個方面。
但目前 5 nm 晶片離商業化還尚有一段距離。
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