這家廠商太牛 僅兩年就搞定了5nm工藝 性能提40%
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中關村在線消息：近日，IBM宣布晶片工藝再次實現突破。
IBM與三星、GlobalFoundries組成的聯盟成功開發出業界第一個全新矽納米片(nanosheet)電晶體，實現5nm工藝的道路更近了。
而就在2015年7月IBM剛剛完成首款7nm工藝晶片的製作，採用的是7nm FinFET工藝和EUV極紫外光刻技術。
如今，時隔兩年不到，IBM聯盟在晶片工藝方面再次突破。
IBM
據悉，5nm晶片可以實現在指甲蓋大小中集成300億顆電晶體，目前已經量產的10nm高通頂尖移動平台驍龍835在相似大小中集成的電晶體數量約30億。
IBM稱，同樣封裝面積中電晶體數量增加有非常多的好處，比如降低成本、提高性能、降低功耗，而非常重要的一點是，5nm晶片工藝下，現有移動設備尤其是智慧型手機的電池壽命將提升2至3倍。
5nm晶片工藝
另外，此前的資料顯示，5nm可能是物理極限，為此，IBM將開發使用終極絕緣體──氣隙(air gap)。
該種材料有兩種型態──氮碳化矽硼(SiBCN)以及氮碳氧化矽(SiOCN)，號稱兩者都能讓晶片性能與良率有所提升。
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