IBM宣布晶片工藝再次突破！首次研發出5nm晶片！

近日，IBM宣布晶片工藝再次實現突破。

IBM與三星、GlobalFoundries組成的聯盟成功開發出業界第一個全新矽納米片(nanosheet)電晶體，實現5nm工藝的道路更近了。

而就在2015年7月IBM剛剛完成首款7nm工藝晶片的製作，採用的是7nm FinFET工藝和EUV極紫外光刻技術。

IBM表示，此次使用了一種新型電晶體，即堆疊矽納米板，將電晶體更緻密地封裝在一起。

納米板電晶體通過4柵極去發射電子，這與當前通過3柵極發射電子的FinFET電晶體不同。

FinFET最初出現在22納米和14納米晶片中，預計在7納米晶片中仍將繼續得到使用。

IBM宣稱，相比當今的10nm，基於納米片的5nm工藝可在同等功耗下帶來40%的性能提升，或者在同等性能降低75%的功耗。

事實上，這是一個了不起的技術成就，儘管在短期內它還無法投入商用。

它可以在一個手指甲大小的晶片上安裝300億個電晶體。

研究人員稱，這個成就將會讓規模達3300億美元的晶片行業繼續按照摩爾定律的規律進行發展。

摩爾定律是1965年英特爾創始人戈登-摩爾（Gordon Moore）提出的一種理論，它預測晶片上的電晶體數量每隔幾年就會增長一倍。

儘管如此，由於晶片行業面臨著摩爾定律能否持續的不確定性，因此晶片設計者正在探索替代方案。

近年來，晶片的重要發展來自於新的處理器架構，而不是在單位面積上集成更多電晶體。

例如，GPU（圖形處理單元）已成為「深度學習」技術主要的訓練工具。

谷歌則開發了專用處理器TPU（張量處理單元），目標是通過雲計算平台運行深度學習軟體。

值得一提的是，三年前，IBM宣稱它將會在未來五年內投資30億美元用於晶片研發。

5納米晶片就是它的研究成果之一。