IBM攻克電池難題：手機續航3倍提升！
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IBM在2015年7月完成了全球首款7nm原型晶片的製作，其採用的是7nm FinFET工藝、EUV極紫外光刻技術。
今天，IBM宣布，摩爾定律並未終止，5nm晶片可以實現在指甲蓋大小中集成300億顆電晶體。
這是什麼概念？
我們以目前量產10nm的驍龍835舉例，後者在相似大小中集成的電晶體數量約30億。
IBM強調，同樣封裝面積電晶體數量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點是，5nm加持下，現有設備如手機的電池壽命將提高2~3倍。
另外，此前的資料顯示，5nm可能是物理極限，為此，IBM將開發使用終極絕緣體──氣隙(air gap)。
IBM打造5納米晶片 手機續航將提高2至3倍
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這家廠商太牛 僅兩年就搞定了5nm工藝 性能提40%
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