誇張，台積電正式啟動2nm工藝研發
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前一陣子，筆者看到三星在7nm和5nm落後台積電的情況下，直接跨過這兩個台階，去開發3nm，業界沒有看到台積電的對應的回應，均認定台積電落後了。
今天看到，台積電正式啟動2nm工藝研發，這簡直太快長了。
以前低於10nm就覺得已經是不可能了，因為已經接近原子尺寸了。
現在2nm的規劃都出來了，真的非常誇張，我們來看下具體情況。
按照台積電給出的指標，2nm工藝是一個重要節點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(電晶體柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比於3nm都小了23％。
台積電沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料，電晶體結構示意圖和目前並沒有明顯變化，能在矽半導體工藝上演進到如此地步真是堪稱奇蹟，接下來就看能不能做到1nm了。
當然，在那之前，台積電還要接連經歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節點。
其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術，目前已經投入量產；6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產；5nm全面導入EUV，已經開始風險性試產，明年底之前量產，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望採納)；3nm有望在2021年試產、2022年量產。
另一晶圓代工大廠三星也已規劃到了3nm，預期2021年量產。
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