三星半導體的宏圖偉業,2020年將推進至4nm工藝
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三星電子半導體事業部今天在美國聖克拉拉舉行三星代工論壇上,公布三星最新未來幾年的工藝製程路線圖,8、7、6、5、4nmFinFET工藝全都上場了,到了2020年左右,三星將會把矽半導體工藝推進到了4nm的極限值,同時將會發展FD-SOI全耗盡型絕緣體上矽工藝。
這個藍圖真的是描繪得雄心壯志,三星將要引領半導體行業?
根據三星官方發布的新聞稿我們可以了解到的情況:
8nm Low Power Plus:稱之為使用EUV(極紫外光刻)技術之前最具競爭力的工藝,這個工藝是基於目前的10nm改而來,8nm LPP工藝可以提供更好的性能表現以及更高邏輯門密度,由於技術難度較小加之是改進型工藝,今年年底將會率先試產。
7nm Low Power
Plus:該工藝可以說是有了翻天覆地的變化,終於用上了EUV技術(意味著EUV技術將同時成熟)。
在這個節點上,三星將會與全球唯一能生產EUV光刻機的ASML公司保持緊密合作,採購的EUV光刻機將會同時到位進行生產。
在啟用EUV技術節點上,三星和持保守態度的Intel一樣,都是選擇了7nm,今後所有的工藝都需要用上EUV技術才能生產,而研發、試產日程已經被三星提前至2018年。
6nm Low Power Plus:時間到了2019年,三星將會使用自己的解決方案,在7nm工藝上繼續改進,獲得更低功耗的晶片。
5nm Low Power Plus:三星計劃在2019年快步小走,繼續將工藝推進至5nm水平,將會進一步擴展FinFET的物理尺度結構,同時兼顧低功耗表現。
4nm Low Power Plus:將會是另一個轉接點,將會採用全新的Multi Bridge Channel
FET結構(簡稱MBCFET,多溝道場效應管),MBCFET是三星開發的專屬技術,獨特GAAFET(邏輯門環繞場效應電晶體)技術使用二維那馬片晶克服物理擴展以及FinFET架構性能的局限性。
這個歷史性轉變將會在2020年實現,也就是說我們目前主流的14nm工藝將會在不到3年時間縮減至4nm水平,科技真讓人著迷。
FinFET和FD-SOI就像是孿生兄弟,FinFET是老大,永遠領先一步,而FD-SOI則是像一個不緊不慢的弟弟,緊跟著時代的步伐。
三星沒有厚此薄彼,FD-SOI在其手上還是有很大發展空間。
2016年就實現了28nm FD-SOI工藝,而今年將會使用該工藝應用在射頻晶片上,例如說是GPS晶片,因為FD-SOI在製造射頻晶片、磁性隨機存儲晶片上有得天獨厚的優勢,2018年將會用在三星自行研發的eMRAM上,2019年則會將工藝提升至18nm水平,2020年應用到RF、eMRAM晶片上。
總的來說,三星的「餅」畫得非常大,工藝推進速度遠超我們認知的水平,而且三星半導體市場總監Kelvin Low表示,這個藍圖並不是天馬行空,而且三星確確實實能在預期的時間點上實現。
小編表示,三星有錢真好,先不說ASML每台EUV光刻機售價超過一億美元,單單是ASML每年僅僅能生產12台EUV光刻機的速度就能讓大部分的半導體企業歇菜,而三星早就一年前買下了第一台EUV機器,而且今年的ASML生產線已經滿負荷運作,其他半導體企業有錢想買也只能等來年,而且還要經歷安裝調試長達1年的產線建設期,三星可謂是搶占先機。
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