GlobalFoundries 2018年試產7nm工藝，已跟AMD開始合作？

作為AMD最倚重的代工合作夥伴，GlobalFoundries的工藝進展也會影響AMD的CPU/GPU發展。

現在GF決定跳過10nm工藝，直接推出性能更強的7nm FinFET工藝，但在進度上，業界普遍認為GlobalFoundries速度要比三星、TSMC以及Intel更慢，他們2019年才會推出12nm FD-SOI工藝，7nm量產似乎更加遙遠。

但是今天GlobalFoundries首次公開7nm工藝進展，預計2018年開始試產，並且已經跟領先的夥伴開始合作了。

GlobalFoundries此前在工藝研發上一直磕磕絆絆，FinFET工藝節點狠心放棄了自研的14nm-XM工藝，直接使用了三星的14nm FinFET授權，今年已經正式量產，為AMD代工了Polaris顯卡，未來還會有Zen架構處理器，總算是穩定下來了，雙方對彼此的合作還挺滿意的，前不久才簽署了未來五年的晶圓供貨協議。

14/16nm工藝之後是10nm節點，TSMC及三星都爭著在今年底或者明年初推出10nm代工服務，Intel明年下半年量產10nm工藝，但GlobalFoundries決定跳過10nm節點，原因我們之前也分析過——相對來說，10nm工藝被認為是14/16nm工藝的優化版，跟20nm工藝那樣偏向低功耗，屬於過渡節點，而GlobalFoundries自己也經不起折騰，索性跳過這一節點，直接殺向未來高性能的7nm節點。

問題是GlobalFoundries的7nm何時問世，畢竟TSMC和三星在7nm節點上也進展很快，雙方都搶著在2018年推出新工藝，TSMC更是自信滿滿，認為自家7nm工藝在性能、功耗及核心面積上都要超過友商。

現在GlobalFoundries官方總算透露了一點口風，表示將在紐約州的薩拉托加Fab 8工廠研發7nm工藝，預計2018年風險試產。

GlobalFoundries還公布了7nm工藝的具體性能——與目前的16/14nm FinFET工藝相比，7nm工藝將帶來兩倍的電晶體密度提升，性能提升30%或者功耗降低60%。

此外，GlobalFoundries表示7nm工藝可以再利用相當多的14nm半導體製造設備，還會繼續使用目前的光刻機，不過保留未來使用EUV光刻機的能力——EUV工藝預計會在5nm節點正式啟用。

雖然2018年早些時候才會試產，不過2017年下半年客戶就能開始產品設計了，這進度還是挺快的，只不過最終產品問世還要等很久，流片成功之後通常也會有一年半載時間才能上市，也就是2019年才有可能看到7nm產品。

值得注意的是，GlobalFoundries已經跟領先的客戶在Fab 8工廠合作7nm晶片原型了——雖然他們沒公布是誰，但能跟GF合作最親密的就是AMD了，早前也有消息爆料稱AMD在準備7nm工藝的下一代伺服器晶片，代號「星河艦隊」（starship），48核96線程，比目前的Naples那不勒斯更強大。

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