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不只是14nm FinFET，國內半導體公司還將發展FD-SOI工藝

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中國的半導體製造工藝與海外先進工藝尚存兩三代落差，國內公司能量產的還是28nm工藝，三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工藝了，不僅是製程工藝代差，這其中還存在著FinFET技術差距。

目前中芯國際等公司還在追趕14nm FinFET工藝，但是國內或許還有第二種技術路線——FD-SOI工藝。

除了前不久落戶成都的GlobalFoundries晶圓廠使用22nm FD-SOI工藝之外，上海的華力微電子在攻關28nm及14nm FinFET工藝之外，二期晶圓廠也有可能採用FD-SOI工藝。

儘管FinFET與FD-SOI師出同門，因為這兩種技術中前TSMC CTO胡正明教授都是發明人之一，不過它們在半導體廠商中的受追捧程度不同，FinFET鰭式電晶體技術成為TSMC台積電、三星、Intel、UMC聯電及GlobalFoundries、中芯國際等廠商的主流選擇，FD-SOI在晶圓廠中的接受度並不高，AMD從28nm也放棄了SOI工藝，主推該工藝的主要是IBM、ST意法等半導體公司，GlobalFoundries在收購IBM晶圓廠之後重新推FD-SOI工藝，成都工廠的22FDX工藝來源於此。

FD-SOI與FinFET工藝的孰優孰劣很難一言而盡，儘管FinFET目前占據上風，但FD-SOI也有可取之處，特別是在低功耗方面，GlobalFoundries的22FDX工藝可以把電壓做到0.4V，非常適合移動、IoT物聯網晶片等低功耗，而且成本低廉，這也是GF沒放棄FD-SOI工藝的原因。

至於國內公司，在突圍14nm FinFET工藝之外也沒有放棄FD-SOI工藝，GF在成都建立FD-SOI工廠開了個好頭，其他公司也可能會跟進FD-SOI工藝了。

上海華力微電子（Shanghai Huali Microelectronics，簡稱HLMC）去年底宣布投資387億元建設第二座12英寸晶圓廠，工藝路線是28nm、20nm及14nm FinFET，月產能4萬片晶圓，預計2018年試產，2022年量產。

來自digitimes的消息稱，除了FinFET工藝之外，華力微電子公司也在考慮FD-SOI工藝的可能性，相對FinFET工藝它的成本更低廉，更適用於IoT物聯網等晶片。

華力微電子也不是國內首個計劃採用FD-SOI工藝的半導體公司了，同樣是位於上海的新傲科技2015年就開始生產8英寸SOI工藝了，使用的 是法國Soitec的Smart Cut技術。

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