文章標籤：明年TSMC台積電紫外光晶片下線

明年四月5nm：TSMC 台積電 第二代 7nm 極紫外光刻晶片下線

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TSMC（台積電）是世界上最大的晶圓代工公司，剛剛宣布他們使用EUV（極紫外光刻）在第二代7納米技術「N7+」上取得突破，第二代7納米技術N7+設計已經下線開始生產。

此前台積電的第一代7納米產品，已經廣泛應用於蘋果公司iPhone和NVIDIA GeForce RTX等產品之上。

雖然尚未完整採用極紫外光刻，但N7+工藝已經可以充分利用新技術，有利於大規模生產以及解決批量生產的良品率問題。

第二代7納米新技術將使功率降低6-12％，電晶體密度提高20％，這對於晶片功耗層面尤其重要。

7納米之後台積電的目標是5納米，內部稱為「N5」。

該過程將使用最多14層極紫外光刻，預計將於2019年4月批量生產。

據台積電稱，PCIe Gen 4和USB 3.1等很多新特性已經為N5做好了準備。

與7納米N7設計的1.5億美元初始成本相比，N5的成本預計將進一步增加，最高可達2億至2.5億美元。

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