5G logo敲定，IBM和愛立信攜手推矽基毫米波相控陣IC | IoT科技評論周刊

農曆新年剛過，IoT圈就迎來了不少好消息，例如3GPP官方敲定了5G的logo，5G的標準化進程又進了一步；而愛立信和IBM合作推出的5G毫米波相控陣IC更是在5G的商用之路上邁出了一大步。

除此之外，還有國內半導體圈的重大簽約消息...具體發生了那些事？和雷鋒網IoT科技評論君一起回顧一下吧！

5G終於有logo了，只是LTE-A的演進版本？

本周三，國際通信標準組織3GPP咋在毫無徵兆的情況下嚴肅地宣布了5G的官方logo！話不多說，先上圖，大家感受感受：

如果對比4G LTE的logo，你就可以發現5G的logo也沿用了部分4G LTE-Advanced Pro的logo設計。

3GPP表示，5G logo的設計是建立在現有的LTE的新設計之上，並使用LTE-Advanced Pro的綠色標誌突出技術的不斷進化。

3GPP官方表示，該5G logo將使用於Release 15、Release 16以及後續相關5G標準規範中。

根據3GPP之前的規定，5G標準第一個版本將於2018年9月完成，也就是Release-15，主要為了滿足比較急迫的商業需求；而5G標準第二個版本將於2020年3月完成，稱為Release-16，將滿足IMT 2020提出的目標和所有可識別的用例與需求。

這就意味著從現在開始，它將成為3GPP官方唯一指定logo。

在logo敲定之後，5G的標準制定工作可以說是萬事俱備只欠東風了。

當然，如果你認為一個logo還不足以代表5G落地的整體進展，那麼不妨看看IBM和愛立信在5G上用時兩年的合作成果。

5G新進展，IBM和愛立信攜手推出矽基毫米波相控陣集成電路

IBM和愛立信（Ericsson）周二聯合發布公告，正式宣布成功推出了應用於未來5G基站的矽基毫米波相控陣集成電路。

根據公告，該相控陣集成電路在28GHz毫米波頻率下工作，並已經在相控陣列天線模塊中成功演示，為未來5G網絡鋪平了道路。

該產品是兩家公司歷時兩年的合作成果（早在2014年11月底兩家公司就展開了關於5G天線研發的合作），它結合了IBM在高集成相控陣毫米波集成電路和天線封裝解決方案的優勢，以及愛立信在設計移動通信電路和系統的技術積累。

IBM官方表示，這個模塊包含四個單片集成電路和64個雙極化天線，模塊尺寸約為2.8 英寸*2.8英寸（約 7.1 厘米*7.1 厘米），幾乎是主流手機一半的大小，IBM表示這是支持5G廣泛部署的必要尺寸，尤其是在室內空間和密集的大城市區域內。

IBM還指出，相控陣列天線模塊的並行雙極化運作方式能夠形成兩個波束，同時保持接受和發送模式，進而使服務的用戶數量增加一倍，該設計同時還支持低於1.4度的波束掃描精度。

根據IBM的介紹，該相控陣集成電路基於公司此前的毫米波工作基礎上，包括2006年開發的單片毫米波無線電，2013年面向移動和雷達推出的高度集成毫米波相控陣列接收器，以及移動手機如何在毫米波頻率下進行通訊的相關探索和研究。

在舊金山召開的2017國際固態電路會議上，IBM還披露了一份描述IBM和愛立信如何合作開發該相控陣集成電路的文件，文件標題為《A 28GHz 32-Element Phased-Array Transceiver IC with Concurrent Dual Polarized Beams and 1.4 Degree Beam-Steering Resolution for 5G Communications》。

當然，如果你以為研究機構只對5G感興趣，那就大錯特錯了！

比5G還要快10倍，這項技術可能在2020年問世

研究人員已經研發出一種太赫茲發射器，該發射器的數據傳輸速度要比5G至少快10倍，而該技術有望在2020年實現應用。

為期五天的2017國際固態電路會議 （ ISSCC） 將於2月5號到9號在加利福尼亞州的舊金山舉行，根據安排，太赫茲發射器將會在這次電路會議上被展示，這種傳送機能夠將一個DVD上的全部內容瞬間發送完畢。

（編者註：太赫茲頻率是一種新的巨大頻率資源，有望在未來應用於超高速無線通信。

）

Minoru Fujishima 是日本廣島大學的教授，也是太赫茲研究者之一。

他說：「太赫茲也能與衛星進行超高速連接，而與衛星的連接，只能通過無線。

這也有好處，比如，它極大地促進了動態網絡連接的發展。

其它可能的應用包括快速將資源下載到移動設備，基站之間實現超快速無線連接。

」

據了解，該研究小組研發的是一款頻率在290GHz 到 315GHz 的發射器，能夠實現105Gbps的通信速度。

雖然這個範圍的頻段現在還沒有被分配，但值得注意的是它處於275GHz 到 450GHz 範圍內，該頻段將在國際電信聯盟無線電通信部門組織的2019世界無線電大會上進行討論。

雷鋒網還了解到，去年該研發小組就曾向大家展示了通過使用正交調幅（QAM）大幅提高300GHz 頻率的無線連接速度的研究成果。

今年，他們展示的是更快的發射器，單個通道數據速率比之前快六倍。

作為集成電路發射器，它首次實現單個通道速率超過100 Gbps.

「今年我們新研發的發射器，傳送功率比之前的要高十倍。

這使得 300GHz 的單個通道數據速率超過100 Gbit/s 成為可能。

」Fujishima 如此表示。

他還說道：「我們通常討論兆位每秒或吉比特每秒的無線數據傳輸速率，但是現在我們正接近利用簡單的單一通信通道實現太比特每秒的傳輸速率。

」接下來，廣島大學、日本國家信息與通信研究所以及松下電器的研究小組計劃進一步研發300GHz 的超高速無線電路。

把視線拉回到國內半導體圈，以下幾起焦點事件也引起了業界的熱議。

Global Foundries「變身」格芯，12寸晶圓廠落戶成都

在本周五上午，全球第二大晶圓廠Global Foundries在成都高新區正式宣布，將攜手成都市成立合資公司——格芯（成都）集成電路製造有限公司，並在成都建立全新的合資晶圓廠。

據雷鋒網了解，格芯成都是中國最大的12寸晶圓廠，投資規模累計超過100億美元，預計年產量將達到100萬片。

按照其官方的計劃，第一期建設CMOS工藝產線，主要為180nm和130nm，引自新加坡技術，產能每月2萬片，預計2018年底投產；第二期22FDX，引自德國技術，產能每月6.5萬片，2019年下半年投產。

這樣算下來，一期二期完成後，總產能將達到8.5萬片/月。

眾所周知，晶圓尺寸越大，單一晶圓片上可生產的IC晶片就越多，但對材料技術和生產技術的要求更高，目前的晶圓尺寸有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大的規格，而12英寸可以說是當下最最主流的尺寸，根據市場研究機構IC Insights的最新報告，到2020年12英寸晶圓的比例將達到68%。

值得一提的是，Global Foundries還宣布，未來在中國市場將啟用全新的名字——格芯，而放棄了此前大家所熟知的格羅方德。

格芯執行長Sanjay Jha表示：「為滿足全球客戶群的需求，我們將不斷在產能和技術上進行投資。

從應用於無線互聯設備的世界頂級 RF-SOI 平台，到占據科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工藝路線圖，這些均見證了市場對於我們主流工藝和先進工藝技術的強勁需求。

新投資將有助格芯擴張現有的晶圓製造廠。

通過此次在成都的合作計劃，我們將穩固，並進一步加速在中國市場的發展。

」

格芯此前曾公布了一組數據：22nm FD-SOI工藝功耗比28nmHKMG降低了70%，晶片面積比28nmBulk縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，晶片成本比16/14nm FinFET低了20%。

如果該數據屬實，那麼22nm FD-SOI的性能甚至可以與14/16nm FinFET持平，而晶片的成本卻與28nm相當。

半導體資深人士莫大康也曾表示，相比FinFET，FD-SOI根據功耗和綜合成本優勢，其產品廣泛應用於移動終端、物聯網、智能設備、汽車電子等領域，發展FD-SOI製程工藝是中國集成電路追趕國際先進水平的機會。

先進半導體人事變動：武漢新芯前COO洪渢擔任CEO

國內半導體製造商——上海先進半導體製造股份有限公司日前發布公告表示，武漢新芯前COO洪渢博士將加入該公司，並擔任CEO一職。

據了解，先進半導體已經洪與洪渢簽訂了合同，合同期限為2017年2月6日至2020年2月5日。

根據該合同，洪渢的年薪為2,112,768元人民幣。

根據先進半導體的公告，洪渢擔任公司CEO一職後，公司副總裁周衛平將不再負責總裁職權。

先進半導體的前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導體公司，該公司1995年易名為上海先進半導體製造有限公司，2004年才改制為上海先進半導體製造股份有限公司。

根據其官方的介紹，這家本土半導體製造商擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產線和MEMS獨立生產線各一條，專注於模擬電路、功率器件和MEMS晶片的製造，年生產大規模集成電路晶片近80萬片。

洪渢於1983年獲得復旦大學物理學士學位，於1986年獲得復旦大學電子工程碩士學位，於1993年獲得美國北卡羅萊納州立大學材料科學與工程博士學位，此後，他供職於多家國內外半導體廠商。