無役不與 三星晶圓代工垂涎國內IC設計訂單

作者：DIGITIMES張語芯

為加速集成電路代工事業發展，三星鎖定中國市場欲橫掃國內IC設計訂單，首要將遭逢的就是老對手，由梁孟松主導研發團隊的中芯國際。

業內人士認為，競爭對手格芯退出先進工藝競局，台積電南京廠目前維持16納米工藝，三星在國內以其10納米頗具競爭優勢，加之7納米傳出最新工藝進展，無怪乎，三星近期在中國市場活躍度大增。

中國集成電路設計業2018年會（ICCAD 2018）將於月底於珠海召開，由於是國內IC設計業盛會，更是晶圓代工廠伺機宣傳自家工藝本領的舞台。

今年在中國市場曾舉行晶圓代工論壇的三星，也「無役不與」由晶圓代工總經理鄭殷晟（ES Jung）以「利用半導體為第四代工業革命創造未來—三星半導體」與會演講，並將與台積電打擂台。

值得注意的是，今年以來，每逢各種半導體大型展會，三星幾乎「無役不與」，大肆宣傳自家晶圓代工優勢，日前，更首次參加中國國際進口博覽會，在三星半導體展區展出了最前沿的科技新品和智能生活解決方案。

過去三星一直在晶圓代工維持低調行事，今年以來卻十足高調，不僅「少主」李在鎔訪華，帶齊一幫半導體高管巡訪中國，更是在國內舉行晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018；SFF)。

當時三星晶圓代工事業部戰略市場部部長、副社長裵永昌便指出，中國市場對於發展新一代半導體行業具有重要意義，三星電子晶圓代工事業部將加強與中國市場的溝通，以提供差異化技術為基礎，為中國市場量身打造晶圓代工解決方案。

三星眼見，國內晶圓廠中芯快要從14納米追上來，格芯棄守追趕7納米，欲以時間換取空間，爭取國內IC設計業者更大訂單空間。

今年來 三星晶圓代工門戶大開

根據HIS一項最新預測，三星2017年晶圓代工收入為46億美元，2018年將達到100億美元，同比增長117.4%，實現了增長1倍有餘，以此速度，三星可望在2018年超越格芯居全球晶圓代工第二把交椅。

同時，晶圓代工業務將可占三星半導體收入的14%左右的份額。

據統計，2018年全球集成電路晶圓代工市場規模預計714億美元，同比增長14.6%，較2017年晶圓代工增長率提速6.6個百分點。

兩相比較，相較於總體行業而言，三星的增長率實在超前太多，一是過去晶圓代工業務並未受到集團真正的重視，故基期較低；二是今年以來三星大力開發晶圓代工業務，增速較猛。

三則是這樣的增速充分展現了三星在晶圓代工的雄心。

而中國IC設計自然是三星所想緊抓住的機會風口。

中國的 IC 設計廠商家數成長快速，且敢於採用最先進的晶片製造工藝生產自家的產品，在全球 IC 設計市場中扮演重要的角色。

自 2010 年以來，IC 設計市場成長比例，大部分都是來自中國廠商的貢獻，中國的 IC 設計從 2010 年市場占有率為 5%，到了2017 年已經成長到了 11%。

尤其AI領域，國內已經聚齊華為、寒武紀、深鑒、地平線、比特大陸、商湯、雲天勵飛和遂原等一大批新創公司，圍繞著安防、汽車等市場加緊布局；另外，在物聯網方面，國內也同樣有了華為、中興、匯頂、ASR和樂鑫等一批廠商。

今年來更一度曾盛傳，三星欲分食部分華為在台積電投片訂單。

中國市場的龐大體量，還有國內在安防領域的全球影響力，加上本土造車廠的快速興起，這就給國內AI的晶片廠商帶來了很多可能性。

自然也對晶圓代工廠意味無窮的代工機會。

中芯追 格芯退 三星擊鼓猛進

2018年上半年的一個重點事件，就是格芯退出先進位程工藝的競爭，並預警宣布暫停成都一期項目。

作為全球第二大的晶圓代工廠，格芯的這個決定，預兆著晶圓代工市場的競爭進入了一個全新的階段。

格芯的這個決定，將會為晶圓代工市場及其中國市場布局造成一個深遠的影響，晶圓代工市場或者將會重新洗牌！

放眼競爭對手裡，現在的頭部玩家除了英特爾深陷泥淖，還有台積電，目前先進位程基本只有台積電有實力持續加碼投資，但是受限於登陸法規限制，台積電南京廠在中國至多僅能玩「N-1」工藝，這也給了三星一個進攻的窗口期。

再論中芯國際，在梁孟松帶領下，正在一步步提升了28 nm High K的良率，14nm FinFET工藝突破在即。

中芯國際也默默布局7nm方面的研發。

不梁孟松過去就是三星大將，如今帶領中芯，和格芯和聯電不一樣，中芯國際無論從戰略地位或者是資金政策支持方面，都還有比格芯無法比擬的優勢，故是三星不可小覷的後繼發力對手。

三星在存儲貢獻的巨大收入支持下，繼續推進先進工藝的研發，並大拓其在中國晶圓代工市場的新版圖，野心已經窮途匕現。

曾形容三星來勢洶洶競爭，台積電創辦人張忠謀這麼說：「台積電不去（中國市場），三星也會去」。

張忠謀指出，中國市場成長的確很快，成長率那麼高，三星（也）很垂涎。

」張口中揭露了三星對中國市場的布局野心。

三星的殺手鐧 7nm光刻技術

無畏每台上億美元的EUV光刻機，今年初，三星投入了56億美元升級南韓華城市(Hwaseong)的晶圓新廠7nm工藝。

這些巨大的投入，對於當前競爭對手而言，都是一筆浩大的支出。

但已長年慣於在存儲器市場經歷大起風浪的三星，沒有在怕的！逆勢操作，在半導體景氣不確定的當下，與2019年可能下修增長的態勢下，三星的加碼投資，更是甩開競爭對手的好時機。

因景氣保守時，正是內部練兵時。

就在上個月，三星再次釋放好消息，宣布已首次將7LPP（Low Power Plus）工藝運用於EUV（Extreme Ultraviolet Lithography，極紫外光刻）技術的晶圓代工，這意味著三星已開始正式推進7納米工藝的商業化，也為實現3納米級別晶片的精細加工工藝打下了基礎。

近日，三星2018科技日在美國聖何塞（San Jose,CA）舉行，三星宣稱，其7nm的EUV進程節點是半導體製造中的一個重要里程碑。

7nm LPP EUV工藝所生產的晶片與10nm工藝相比，減少了40%的面積、50%的動態功率降低和20%的性能提升。

同時，7LPP工藝是最終實現3nm工藝的關鍵步驟。

市場分析份為，無論繁榮-蕭條周期如何，三星都將通過投資拉動增長，因此三星增加資本支出與升級晶圓廠，以應對日益增長的技術挑戰的成本增加有關。