傳驍龍820有兩個版本 嘗試10nm工藝
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2015-10-16 05:26:00 作者：徐鵬
據外媒Phone Arena報導，高通下一代移動處理器驍龍820將採用更成熟的製造工藝，以實現功耗發熱和性能之間的平衡。
據悉，三星14nm FinFET工藝將是驍龍820選擇的方案之一，這一方案已經比較成熟，應用於Exynos 7420處理器。
同時，高通也在考慮10nm FinFET的版本。
此前，三星宣稱10nm工藝會在年底試產，結合驍龍820的量產時間，採用10nm FinFET也並非沒有可能。
目前，高通並未透露關於驍龍820的更多消息，只是稱其會使用非平面FinFET工藝。
照此來看，三星14nm和10nm工藝，以及台積電16nm製程工藝均屬於此範圍。
此外，驍龍820還會配備Adreno 530圖形處理器和全新的DSP，支持反惡意軟體功能。
據了解，14nm FinFET和10nm FinFET分別使用的是LPE（Low Power Early）和LPP（Laser-Produced Plasma）版本。
其中，LPE為早期版本，功耗和封裝面積都有進步，但相對不成熟，LPP則是升級版，性能更加出色。
由於三星14nm FinFET工藝已經成熟，而10nm FinFET工藝還有待進步，因此採用14nm FinFET
LPP搭配10nm FinFET LPE的策略也比較合理。
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