台積電:10nm壽命很短,7nm將領先全球
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晶圓代工龍頭台積電技術論壇自美國起跑,根據外電網站報導指出,台積電預估,今年約當12吋晶圓出貨約達1100萬片,較去年成長1成,在7納米製程上,台積電預期,該公司將是第一個採用EUV製程量產7納米的廠商,進度仍可望超前三星。
台積電在技術論壇上,揭露各項新製程技術發展,其中7 納米製程採用256MB SRAM 生產的良率已達76%,明年進入量產,預期安謀(ARM) Cortex A72 處理器將採用該製程生產。
在7 納米製程上,台積電預估,將很快導入EUV 製程,台積電將是第一個使用EUV 量產7 納米製程的晶圓廠,進度比三星領先量產;根據兩家公司釋出的技術藍圖,三星訂2019 年前量產7 納米EUV 製程,台積電則估明年6 月就會進入風險性試產(Risk Production)。
台積電預期,采EUV 製程的7 納米,邏輯晶圓密度可較第一代7 納米製程增加1.2 倍,速度則可提高10%,功耗減少15%;台積電預估,4 月開始第一代7 納米進入風險性試產,今年將有12 個設計定案,預期試產第一年內將有20 個設計定案。
台積電同時也透露,10 納米製程只有較短的壽命,主要是為蘋果iPhone 8 所用的A12 晶片設計出的製程,速度將16 納米會10%,功耗可減少25%。
而再往前推進,台積電預估,5 納米將可在2020 年量產。
三星7納米2018量產:可造高性能GPU
目前,台積電、三星、Intel等大廠都在積極布局10nm工藝,並籌劃未來的7nm、5nm,一個比一個高調。
在近日上海舉辦的中國國際半導體技術大會(CSTIC)上,三星電子就展示了自己的半導體工藝路線圖,並特別提到了7nm、5nm,明確表示會分別在2018年、2020年就投入量產。
三星表示,隨著半導體工藝走向後10nm時代,廠商們會面臨越來越嚴峻的挑戰,尤其是如何保證足夠高的良品率,為此三星特別提出了環繞柵極場效應電晶體(GAA FET)技術,將用在7nm、5nm工藝上。
另外,EUV極紫外光刻技術一旦取得突破並成熟,三星也會立即使用,但從目前的情況看,7nm上的希望很低。
三星指出,他們的7nm工藝將面向高性能晶片製造,包括GPU、AI、伺服器、ADAS(先進駕駛輔助系統)等等。
值得注意的是,台積電和三星的10nm工藝都是主打高能效、低功耗的移動晶片應用,不適合高性能的CPU、GPU,所以AMD完全跳過了這一代,直接奔向7nm,NVIDIA據稱下代架構也會依然堅持16nm,想必也在觀望台積電方面7nm的進展,後者也是預計2018年投產 。
AMD目前使用的GlobalFoundries 14nm工藝其實正是三星提供的,如果未來能繼續供應高性能的7nm,無疑是個極大的利好消息。
Intel 7nm工藝跳票至2022年
先進的半導體工藝一直是Intel的殺手鐧,不過這些年,即便是技術實力雄厚如Intel,在新工藝之路上也走得步履維艱,如今再有壞消息傳來。
14nm工藝連續使用三代之後,Intel終將在今年上馬10nm,而按照新的三步走戰略,7nm工藝產品應該會在2020年左右誕生。
不過考慮到與三星、台積電命名方式的不一樣,所以台積電的10nm應該相當於三星7nm水平。
Intel此前的一份招聘啟事裡也曾經提到過7nm工藝產品,並稱時間安排在2020年或更晚,而現在這個時間點有了更明確的說法:2022年。
這意味著,想看到Intel 7nm處理器,還得等六年之久!而在那之前,Intel將會連續優化10nm,預計推出10nm+、10nm++兩個優化版本——剛剛發布的Kaby Lake就就號稱使用了14nm+工藝。
有趣的是,AMD去年中和代工廠GlobalFoundries簽訂了為期五年的晶圓供應合同,將攜手跳過10nm、直奔7nm工藝,按時間表計算應該在2020年左右實現。
即便是考慮到GlobalFoundries一貫不是特別靠譜,AMD也有望和Intel在差不多的時間裡進入7nm時代。
當然,在那之前,AMD將不得不多年使用14nm對抗對手的10nm。
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