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中芯國際進軍下一代內存產業：40nm工藝代工PRAM內存

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中芯國際（SMIC）已經是國內最大、最先進的晶圓代工廠，除了處理器之外他們也在積極謀劃存儲類晶片業務。

2014年9月份他們推出了自己開發的38nm NAND快閃記憶體晶片，日前中芯國際又跟Crossbar公司達成了戰略合作協議，將使用40nm工藝為後者代工PRAM阻變式存儲器晶片，意味著中芯國際已經進入了下一代內存產業。

PRAM阻變式存儲器也被稱為相變內存，PRAM使用一種或者多種含硫化物玻璃製成，其特點就是受熱之後可以改變形狀，成為晶體或者非晶體，而不同狀態具有不同電阻值，因此可以用來儲存數據。

與普通的DRAM相比，PRAM內存不僅寫入速度快30倍，壽命延長10倍，而且PRAM內存在斷電時不會丟失數據，所以它不僅可以替代內存，也可以替代快閃記憶體。

目前Intel、三星等公司都在積極投身PRAM內存研發。

中芯國際合作的夥伴Crossbar是全球PRAM內存產業中的領導者之一，中芯國際將使用40nm CMOS工藝為其代工PRAM產品，將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯網、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業及汽車電子市場需求。

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