三星欲推4納米工藝全球領先,直逼國產晶片迅速填補生產鏈空缺
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作為全球第二大晶片製造商,三星正全力發展半導體外包業務。
半月中旬,三星剝離晶片代工業務,成立半導體代工業務部門,挑戰台積電在晶片代工市場的領先地位。
據國外媒體報導,三星於24日舉辦了記者說明會,現場公布了旗下最新的製程技術路線圖。
根據三星的計劃,正在2017年至2020年之間,三星半導體的製程技術將一步步地向前推進。
他們計劃在2017年底之前試產8納米製程技術,2018年量產7納米製程技術,2019年則陸續研發6納米以及5納米製程,而在2020年,三星更是計劃將製程技術推進至4納米的程度。
其中,4納米工藝將是一個重大技術突破,將會採用全新的Multi
Bridge Channel FET結構,解決現有FinFET電晶體的缺陷。
「納米」指的是MOS電晶體的柵極長度,這個長度用於表徵集成電路的集成度高低。
「納米」的數值越小,每個電晶體所占面積也就越小,那麼集成度就越高,就會在處理器內部集成更多的電晶體。
這就代表著更先進的製造工藝,處理器能實現更多的功能和更高的性能。
今年,高通推出的驍龍835占盡了人們的眼球,可以稱得上是目前最高水準的晶片。
而驍龍835採用的就是三星的10納米工藝。
三星公司目前所採用的,也是10納米製造工藝。
而8納米LPP,結合來自10納米的基數創新,將現有技術潛力徹底挖掘乾淨,在性能、集成密度等方面超越了10納米LPP。
而在2018年的7納米LPP工藝上,三星將首次啟用EVU極紫外光刻技術,將會引進艾斯摩爾(ASML)最先進的EUV光刻機加入到晶圓的生產過程中。
EUV源功率最大達到250W,這也是其能夠投入商業量產的關鍵里程碑。
在7納米LPP、EUV的基礎上,6納米LPP將應用三星獨特的Smart
Scaling方案,可以大大縮小晶片面積,帶來超低功耗。
而5納米LPP更是FinFET立體電晶體的終極之作,並且會採用下一代4納米工藝的部分技術。
4納米LPP則第一次使用了全新的多橋接通道場效應電晶體結構,基於三星特有的環繞柵極場效應電晶體技術,藉助Nanosheet設備克服FinFET技術的物理局限。
同時,三星面向IoT物聯網應用,還將推出18納米FD-SOI。
它在上一代28納米FD-SOI技術的基礎上,集成了RF、eMRAM。
三星的這一製程技術路線圖,表達出了它強大的實力和信心。
而在國內,國產晶片製程工藝技術正對國際水準奮起直追。
目前,國產14納米工藝已經取得重大突破,2018年將投入量產。
在24日舉行的「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」活動中,集成電路專項技術總師表示,經過兩萬科技工作者九年的努力研發,終於研製成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備以及靶材、拋光液等100多種材料產品,性能達到國際先進水平,且過了大生產線的嚴格考核。
國產晶片14納米的研製成功,實現了從無到有的突破,填補了產業鏈的空白。
據稱,接下來的「十三五」將重點支持7納米、5納米工藝和三維儲存器等國際先進技術的研發。
有消息報導,中芯國際已經開始啟動7納米工藝製程研發。
國產半導體起步較慢,早期在半導體這一領域是一片空白,所以國內在半導體製造行業落後國際太多。
雖然在半導體領域,國內水平與國際水準仍有距離,但是如今已經大大地縮短了國內與國際在這一領域的差距。
短短9年卻能取得如此成績,國內半導體的發展速度實在是驚人!
來源:線上采編
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