中國電子晶片產業集中爆發,三星/台積電搶著代工
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IT之家訊 韓國三星電子(Samsung)近日在上海舉辦技術論壇,本次會議主要議題是宣布其新的晶圓代工策略,同時也是為爭取大陸IC設計廠代工訂單。
三星指出,預計今年底10納米可以上線,7納米製程將採用最先進的極紫外光(EUV)微影技術,並將針對物聯網及汽車電子提供低功耗的28納米FD-SOI製程。
同時,三星原本只生產自有晶片的8寸晶圓廠,現在也將開放並爭取模擬IC或LCD驅動IC等晶圓代工訂單。
台灣晶圓代工廠台積電、聯電、力晶等已分別以獨資或合資方式在大陸建造晶圓代工廠,三星電子在中國的最大投資是西安的快閃記憶體製造廠,並沒有在大陸設立晶圓代工廠的計劃。
三星的晶圓代工晶圓廠主要有三個廠址,包括位於韓國的8寸晶圓廠S1、位於美國得州的12寸晶圓廠S2、以及位於韓國京畿道華城市的12寸晶圓廠S3。
另外,三星也將與台積電一樣,提供後段封測服務。
而三星預估今年包含晶圓代工的月產能將達13.5~14萬片12寸晶圓及19萬片8寸晶圓,且預估至2017年底產能將擴充約15%。
隨著台積電宣布今年底將量產10納米製程,2018年開始量產7納米製程,三星也在技術論壇中說明先進位程布局,包括今年底可望開始進行10納米試產,但將跳過採用浸潤式微影技術的7納米,直接推出採用EUV微影技術的7納米,預計至2018年底EUV技術可在250W光源下每天生產1500片晶圓。
三星認為,7納米採用EUV可以更好控制成本,有助於爭取先進位程晶圓代工訂單。
三星認為在中國國內的移動支付、無人機、電動車、自駕車等供應鏈有很好的創新,也將帶來新機會,所以除了支持先進位程,也將在明年第二季開始,提供可支持物聯網及汽車電子的28納米FD-SOI製程。
同時,三星也將開放8寸廠產能,配合本身在內存市場的優勢提供65納米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程,以及70納米高壓製程,爭取大陸市場模擬IC、CMOS圖像感測器、LCD驅動IC等代工訂單。
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