【業內熱點】格芯成都廠停擺 牽動全球晶圓代工版圖
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全球第二大晶圓代工廠-格芯近來營運頻傳利空消息,除2018年下半年宣布不再追求7奈米先進位程的開發,且2019年1月底將位於新加坡Tampines的Fab 3E
8吋晶圓廠售予世界先進,2月中旬又傳出格芯與成都市政府在高新區的12吋廠投資計劃停擺,此已是格芯先前投資重慶喊卡後,投資大陸再次失利的狀況,除反映近期晶圓代工景氣情勢反轉向下,影響投資計劃,且面臨大陸企業逐步崛起的競爭之外,更加凸顯格芯本身營運遭遇困境,特別是阿布達比資金的抽離、大客戶AMD轉而投向台積電7奈米製程、格芯跳躍式的製程研發麵臨瓶頸等,均使得格芯的晶圓代工製程結構轉型困難重重。
整體來說,全球晶圓代工業版圖的分配上,未來依舊以台積電為首,且2019年市占率將有機會持續提高至58%左右,主要是支援EUV的7奈米強化版製程將於2019年第二季進入量產,且有更多智慧型手機、高效能運算、車用電子等晶片會導入7奈米,而台積電5奈米製程則於2019年上半年進行風險性試產,意謂即便當前面臨半導體業景氣出現明顯趨緩態勢,但2019年台積電先進位程的推進仍如期進行。
反觀全球晶圓代工市占率介於5至10%的第二至五大廠商,2019年版圖將互有消長,其中格芯市占率恐由2018年的9%向下滑落,聯電市占率則須視Micron控告公司與福建晉華案的訴訟變化,以及公司執行追求報酬為導向的投資策略、專注於在成熟特殊製程的技術優勢成效而定,而Samsung、中芯國際則有反攻向上的機會,其中大陸第一大晶圓代工廠──中芯國際在成熟製程上多元戰略發展,已有效的減少大幅投入先進生產線而產生的財務折舊壓力,況且在14奈米FinFET技術開發出現進展,第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段,同時28奈米HKC+技術順利開發完成,意謂在國家政策和集成電路大基金的支持之下,中芯國際將持續背負推進對岸先進晶圓製程的任務。
至於包括Tower
Jazz、力晶、世界先進等,2019年其全球晶圓代工市場占有率均分別不超過3%。
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