華為5G晶片都靠它?台積電7nn EUV工藝正式商用
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晶圓代工龍頭台積電近日宣布,其領先業界導入極紫外光(EUV)微影技術的N7+製程已協助客戶產品大量進入市場。
導入EUV微影技術的N7+製程奠基於台積電成功的7nm製程之上,並為6nm和更先進位程奠定良好基礎。
據悉,蘋果及華為海思均已採用N7+製程量產晶片並採用在新一代智能型手機中。
台積電7nm+大量供貨:近40年終於實現EUV光刻
台積電在10月8日正式宣布,採用EUV光刻技術的N7+(7nm+)工藝已經大批量供應客戶,這將是台積電乃至全產業首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。
台積電沒有公布具體採用7nm+工藝的客戶名單,目前唯一可以確認的就是麒麟990 5G將採用7nm+工藝,AMD下一代Zen 3架構一直標註為7nm+工藝。
EUV光刻採用波長為10-14nm的極紫外光作為光源,可使曝光波長直接降到13.5nm,研發推動更先進工藝。
據悉,EUV光刻技術早在20世紀80年代就已經研發出來,最初計劃用於70nm工藝,但光刻機指標一直達不到需求,加之成本居高不下,晶片廠商不得不引入沉浸式光刻、雙重乃至多重曝光來開發新工藝。
按照台積電的說法,EUV光刻機已經能穩定輸出日常生產需求的250W功率,完全滿足現在及未來新工藝的需求。
台積電同時表示,7nm+是台積電史上最快量產的工藝之一,在第二季度量產開始,良品率迅速達到已量產1年多的7nm工藝的水平。
與7nm相比,7nm+可為產品帶來15-20%的電晶體密度提升,並改進功耗控制。
台積電接下來還將奔向6nm、5nm、3nm、2nm,其中6nm(N6)相當於7nm的升級版,設計規則完全兼容,繼續採用EUV技術,電晶體密度比7nm提升18%,預計2020年第一季度試產,年底量產。
三星7nm工藝也在引入EUV,不過進展相比台積電要落後很多。
EUV登場:為摩爾定律再續一秒
眾所周知,集成電路的密度隨著製程工藝的改進而提升。
無論是哪家廠商設計應用於哪種設備,晶片工藝改進都在讓設備進步,其中關鍵的指標便是電晶體之間的間隙。
從安卓手機進入大眾視野時的60nm,到4G手機開始普及時的28nm,再到現在高端手機上普及的7nm,智慧型手機提供的表現越發強大,我們一直在見證著晶片工藝提升帶來的性能和續航革命。
5G和AI應用是當前的熱門話題,為了讓這些新技術更好地在手機上服務用戶,更應該讓重要的硬體晶片,藉助工藝提升得到新能力。
晶片設計廠商,以及台積電、三星這樣的製造工廠也是這樣想的,然而他們發現了一個事實:工藝提升已經遭遇瓶頸。
半導體矽是最常見的晶片製造原料,工廠將冶煉切割後的矽晶圓放置於光刻機中,然後用光透過印有電路設計圖的掩膜進行蝕刻,最後打磨切割封裝就得到了晶片。
晶片製造多年來慣用控制光波長來提升製程,這個方法到了nm級別卻開始失靈。
以5nm為例,傳統DUV(深紫外光刻)技術下蝕刻出的極低電晶體間隙導致了難以控制的漏電問題,使得晶片性能損失比起進步來說得不償失。
經過多種嘗試,依舊沒法有效解決遭遇的工程難題,工藝提升的步伐似乎要就此停下來。
這個時候廠商們找到了從80年代起就提上議程的EUV(極紫外光刻),相比現在廣泛使用的DUV,波長僅為13.5nm的EUV更能幫助工藝提升。
台積電、三星、英特爾等多家晶片製造廠共同投資數十億美元後,ASML公司帶來了首個能投入商用的EUV光刻機。
ASML的光刻機可以說是高科技中的高精尖了,每台價格至少上億美元,是DUV光刻機的近十倍,而且需要多架次波音737 Max才能完成運輸。
光是開動這台機器進行生產,每小時就需要150度的電。
EUV的改進不只是光線種類和波長,還引入了浸液式光刻、真空蝕刻、多重成像等過去還在實驗室中的技術,綜合起來之後才將工藝提升變成了現實。
得益於EUV,我們見到了更強大的7nm工藝,5nm和3nm等過去約等於不可能的工藝也將在未來兩三年到來。
三星是首個宣布在量產晶片中使用7nm EUV工藝的廠商,今年8月發布的Galaxy Note 10手機就搭載了採用這一工藝的Exynos 9825處理器。
由於手機版本限制,包括中國在內的大部分地區,都無法見到Exynos 9825背後7nm EUV的真正實力。
根據此前的消息,高通明年的中端定位5G晶片7250將採用三星7nm EUV工藝生產,不過它可能並不是首個接觸全球用戶的7nm EUV晶片。
採用台積電7nm EUV工藝代工的麒麟990 5G,很快就會隨手機正式登場。
5G時代的耗電和發熱,或因EUV緩解
華為海思在麒麟990上採用了兩種製造工藝,不含5G基帶的麒麟990採用原版7nm工藝製造,集成了5G基帶的麒麟990 5G搶先用上了7nm EUV工藝。
麒麟990 5G的電晶體數量達到了103億顆,相比上一代麒麟980的69億顆提升巨大。
拿到了首批5G產品的媒體和消費者都發現,5G網絡對手機的功耗以及發熱能力有更高的要求,這也是2019年智慧型手機紛紛用上4000毫安時以上電池並配備更大面積熱管散熱的原因。
EUV帶來的工藝改進,有望成為提升5G時代手機體驗的重要法寶,華為官方的數據顯示麒麟990 5G的功耗降低了20%、面積也縮小了36%,卻得到了20%的性能提升。
在5G NR網絡下,上下行速率分別可達2.3Gbps和1.25Gbps。
頭頂首款台積電商用7nm EUV晶片光環的麒麟990 5G,會隨著華為Mate 30 5G和Mate 30 Pro 5G在11月上市,這一新工藝能有多少能耐很快就能揭曉。
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