轉載——台積電發布全新7納米製程技術，與英特爾競摩爾定律進程

據海外媒體報導，即使近年摩爾定律(Moore's Law)進展速度趨緩，但全球各家晶片製造商仍持續開發新一代製程技術。

在12月3~7日於美國舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，台積電宣布以其最新版3DFinFET電晶體，可用於生產更新一代智慧型手機及其他移動裝置處理器的首個全新7納米製程技術，藉此正式加入全球7納米製程技術競爭戰場，並彰顯其較英特爾(Intel)更快的製程技術進展，顯示晶圓代工廠具備的技術優勢。

根據科技網站ZDNet及EETimes報導，台積電為了展示7納米製程技術，在會議中介紹一款由7納米製程生產的全功能256MBSRAM測試晶片，據稱該晶片存儲器細胞(MemoryCell)尺寸僅0.027平方微米，可提供相較於現有16納米FinFET製程高達4成的性能速度提升，以及高達65%的功耗節省。

台積電7納米製程技術採用當前的193納米浸潤式微影技術(Immersion Lithography)，與三星、Global Foundries以及IBM等競爭業者宣布的7納米製程技術，是採用新型態極紫外光微影技術(EUV)有所差異。

有鑒於EUV技術至少要等到2018~2019年以後才可能見到量產就緒，因此要等到EUV技術成熟問世可能仍需一段時間，不過EUV具備成本降低等優勢。

值得注意的是，台積電7納米製程技術並非與目前最新的10納米製程技術做比較，而是與16納米進行規格比較，這意謂台積電等於一次跳了2個甚至3個製程世代達7納米技術水準。

台積電在會中也透露，該公司7納米製程SRAM良率已達50%，外媒分析稱這是值得注意的成就。

外界多半認為10納米只是一個壽命短的過渡製程技術，目前三星電子(Samsung Electronics)已開始以10納米製程量產，首款10納米處理器可能將於2017年初發布；Global Foundries計劃直接跳過10納米，直攻7納米製程技術，並計劃將從2018年初開始進行7納米製程風險生產。

台積電則計劃從2016年第4季開始采10納米製程技術量產，預計2017年底才會見到7納米製程導入生產，台積電強調，該公司正將重心放在協助客戶儘速面向市場推出7納米晶片產品。

由此快速的製程技術進展步伐，也意謂晶圓代工廠商已在半導體製程技術上取得技術領先優勢，如英特爾已延後10納米生產進程，並預計2017年底以後才會發布首款桌上型電腦(DT)處理器「Cannonlake」。

作為此進程延後下的過渡權宜策略，英特爾改發布采14納米製程的KabyLake處理器。

另外，雖然ASML的EUV系統至今仍僅在量產前的發布階段，不過台積電已宣布自有5納米製程節點將開始採用EUV技術。