格羅方德近年發展歷程梳理 從AMD分拆以後走過哪些路

根據阿聯阿布達比先進技術投資公司(ATIC)，即現在的穆巴達拉發展公司(Mubadala)9月發布的2016年上半年度財務報表顯示，其半導體技術事業分部(主要是Global Foundries)凈虧損達13.5億美元，與2015年上半年相比，凈虧損大幅增長67%，超過2015年，整年虧損13億美元。

2015作為晶圓代工廠排名第二的晶圓廠，Global Foundries目前的表現無疑是讓人失望的。

在全球晶圓廠都在受惠於IC產業，尤其是中國IC產業迅猛發展的大環境下，Global Foundries卻不進反退，我們來回顧一下GlobalFoundries近些年的發展歷程，看究竟它從AMD分拆以後，經歷了什麼。

Global Foundries的歷史沿革

GlobalFoundries原來是AMD的晶圓部門，在2008年的時候，AMD當時的CEO魯毅智(Ruiz)賣掉了AMD自己的晶圓廠，買主是阿布達比的ATIC。

這筆涉及84億美元的交易在成交以後，AMD就將現有的所有晶片製造設備都將移交給新公司，包括在德國德勒斯登的兩座晶圓廠和相關資產、智慧財產權，以及正在規劃中的紐約州晶圓廠，總價值約24億美元。

同時，AMD現有的大約12億美元債務也將由新公司承擔。

新公司成立初期主要承擔AMD處理器和圖形晶片的製造，之後會承接其他半導體企業的外包訂單。

2009年3月2日，一個全新的晶圓廠GlobalFoundries就成立了。

2010年1月13日，GLOBALFOUNDRIES收購了新加坡特許半導體。

2013年資本支出約45億美元，28 納米製程導入客戶數已達12家，包括超微及中國大陸手機晶片廠Rockchip等。

2013年各製程的營收比重為，45納米以下占56%、55/65納米製程占19%、90納米及0.18微米占19%、0.18微米以下占6%。

至2014上半年，8吋晶圓廠訂單滿載，公司看好產業景氣，決議將旗下新加坡六廠從8吋廠升級為12吋晶圓廠，其設備來源為2013年買下DRAM廠茂德中科12吋機台設備，預計有6成產能為12吋、40納米產能為8吋，廠房12吋與8吋廠年產能分別為100萬片及30萬片，公司規劃製程技術由0.11~0.13微米進階到40納米。

其中，12吋將應用在LCD驅動IC、電源管理IC等市場，近兩年資本支出將達10億美元。

2014年10月20日，公司收購IBM全球商業化半導體技術業務，包括其智慧財產權、技術人員及微電子業務的所有技術。

另外公司也將在未來10年內提供22納米、14納米及10納米之技術予IBM，主要為IBM供應Power處理器。

從創建至今，Global Foundries的凈利潤率始終是負數，2016年上半年更是跌入谷底，達到-54%。

正如芯謀研究顧文軍分析，巨大的研發投入、昂貴的設備和折舊費用對Global Foundries來說，像滾雪球一般，越來越大。

在超過200億美元後，不投入的話，前功盡棄打水漂;再投入仍是盈利無期。

Global Foundries實則已陷入一個惡性循環。

作為全球第二大晶圓代工廠，截止至2016年6月30日，Global Foundries資產總額203億美元，負債總額43億美元，權益負債比約27%，不由讓人對Global Foundries的前景產生擔憂。

而在過去的幾年，Global Foundries雖然位居全球晶圓廠全幾名，但是在製程方面，他其實是逐漸落後於競爭對手，尤其是和第一名台積電的差距越拉越大，於是在市場上的競爭力優勢越發降低，於是Global Foundries只能求變。

接管IBM製造業務，引進新技術

製程落後的Global Foundries除了強攻新技術，也在過去幾年一直尋求交易，在2014年，他們接管了IBM的半導體製造業務，也從IBM取得半導體設計能力。

在這個交易中，IBM給Global foundries公司支付15億美元，作為接盤費用。

對於Global Foundries來說，拿下IBM應該不在於其工廠，更重要的是IBM所積累的專利和技術，這有利於他們推進其製程進度，緊跟競爭者。

以目前立體鰭式電晶體(3D-FinFET)研發為例，即可窺探出IBM的研發能量。

為解決過去平面式電晶體漏電流的問題，發展出立體式的電晶體結構，FinFET(英特爾(Intel)稱之為Tri-Gate)。

目前全球在FinFET設計與製程技術開發的競爭中，英特爾仍為領導廠商，而至今可與英特爾一較高下的，非IBM莫屬。

IBM與英特爾製程技術上最大的差異，則是使用絕緣層覆矽(Silicon On Insulator， SOI)基板，雖然SOI基板較英特爾所使用的塊狀基板(Bulk Substrate)成本高出許多，但SOI可大幅減少製程步驟，以及降低操作電壓達到低功耗晶片的製作效益。

由此可知，IBM所具有的研發能力不可小覷，關於英特爾與IBM的FinFET電晶體剖面圖比較如圖1所示，目前兩種不同的基板各有優缺點，誰可勝出，仍需要時間以及市場上的驗證。

藉由這一樁合併案，Global Foundries將具有優先使用IBM與位於美國紐約州Albany納米科學暨工程學院(Colleges of Nanoscale Science and Engineering， CNSE)共同研發專案結果的權利，其中令人矚目的是IBM將與CNSE共同開發的下世代微影技術。