晶圓製造：中國邁上28納米關鍵台階

縱觀集成電路50年來的發展歷程，所取得的成功和產品增值主要歸功於半導體製造技術的不斷進步，工藝技術持續快速發展，帶動了晶片集成度持續提高，單位電路成本呈指數式降低，成為集成電路產業進步的主要源動力。

目前，世界集成電路生產水平最高已經達到14納米，主流生產線的技術水平為28納米。

由於28納米作為一個長節點，是目前市場上需求量最大、最為關鍵的一個工藝節點。

我國集成電路製造企業已成功攻克，為「十二五」期間最重大的成績之一。

中芯、華力，雙雙突破28納米

十一五期間，我國取得65納米先進工藝和高壓工藝、模擬工藝等特色技術實現規模生產;《集成電路產業「十二五」發展規劃》的相關目標是，大生產技術達到12英寸、32納米的成套工藝，逐步導入28納米工藝。

目前看來以上目標已提前完成。

2015年8月，中芯國際的28納米產品實現量產。

中芯國際首先量產的是Poly-SiN工藝，下一步集中在HKMG工藝，量產主要在北京和上海的12英寸晶圓廠進行。

目前中芯國際28納米工藝擁有來自中芯國際設計服務團隊以及多家第三方IP合作夥伴的100多項IP。

上海華力微電子2014年12月宣布與聯發科技在28納米工藝技術和晶圓製造服務方面緊密合作，主要集中在移動通信處理器領域。

華力微電子的28納米工藝開發，目前已經Tape Out，明年有望量產，目前開發的工藝平台為PolySiON，未來亦將開發HKMG平台。

圖一：國際主流晶圓製造廠28納米工藝量產進程

28納米長節點，市場應用廣闊

根據 ITRS路線圖的演進：45納米的下一代工藝節點是32納米，然後是22納米。

但國際主流晶圓製造從45/40納米向下演進時，中間經過32納米後卻很快跳躍到28納米。

因為當工藝當進步到32納米時，使用基本相同的光刻設備便可以延伸縮小至28納米。

同時，相比20/22納米的設計、生產成本，28納米更具成本優勢，具有的1.5-2倍的成本優勢。

這使得它更受歡迎。

隨著28納米工藝技術的成熟，28納米工藝產品市場需求量呈現爆髮式增長態勢，年複合增長率高達79.6%，這種高增長態勢將持續到2017年。

因成本原因，14/16納米不會迅速成為主流。

28納米工藝將會在未來很長一段時間內作為高端主流的工藝節點。

預計還將持續4-5年。

考慮到中國物聯網等領域巨大市場需求，這一期限預計更長，為6-7年。

預計2015年至2016年，28納米工藝主要應用領域仍然為手機應用處理器和基帶。

2017年之後，28納米工藝雖然在手機領域的應用有所下降，但在RF、ASIC等領域的應用迅速增加。

預計2019-2020年，混合信號產品和圖像傳感器晶片也將會規模採用28納米的工藝。

國家政策推進工藝進步意義重大

當前和今後一段時期是我國集成電路產業發展的重要戰略機遇期和攻堅期，抓住技術變革的有利時機，持續推動先進生產線建設，是未來一段時間我國集成電路產業的主要任務。

在保障國家信息安全的新形勢下，集成電路產業發展正受到前所未有的重視，國家已將推動晶片國產化上升至國家安全的高度，並頒布多項與集成電路製造相關的政策。

這些政策有力推動了我國晶圓製造業的發展，以及向先進位程的演進步伐。

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