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10nm剛量產，7nm要到2019年，5nm又來了

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近日，IBM宣布晶片工藝再次實現突破。

IBM與三星、GlobalFoundries組成的聯盟成功開發出業界第一個全新矽納米片(nanosheet)電晶體，實現5nm工藝的道路更近了。

IBM聯盟不到兩年前才搞定了7nm工藝，可集成多達200億個電晶體，而最新的5nm工藝，可以在指甲蓋的面積內集成300億個電晶體

5nm晶片可以實現在指甲蓋大小中集成300億顆電晶體，目前已經量產的10nm高通頂尖移動平台驍龍835在相似大小中集成的電晶體數量約30億。

同樣封裝面積中電晶體數量增加有非常多的好處，比如降低成本、提高性能、降低功耗，而非常重要的一點是，5nm晶片工藝下，現有移動設備尤其是智慧型手機的電池壽命將提升2至3倍。

另外，此前的資料顯示，5nm可能是物理極限，為此，IBM將開發使用終極絕緣體──氣隙(airgap)。

該種材料有兩種型態──氮碳化矽硼(SiBCN)以及氮碳氧化矽(SiOCN)，號稱兩者都能讓晶片性能與良率有所提升。

IBM透露，5nm工藝沒有使用標準FinFET立體電晶體，而是採用了全新的矽納米片堆疊，作為電晶體的基礎結構。

5nm晶片將採用與7nm晶片相同的紫外線光刻技術。

不過與現有技術相比，新一代工藝的光波能量將高出許多，同時還支持在製造過程中持續調節晶片的功耗和性能。

相比當今的10nm，基於納米片的5nm工藝可在同等功耗下帶來40％的性能提升，或者在同等性能降低75％的功耗。

而且成本更加低廉。

不過鑒於10nm工藝也才剛剛投入商用不久，7nm晶片則要等到2019年，5nm工藝仍然需要漫長的等待。

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