國產晶片14nm工藝已經攻克難關！很快就可以量產了！

2020-09-30

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現在，晶片自主的研發已經成為大家關注的焦點，甚至國家也開始重視起來。

國內科研人員目前集體努力的方向，就是在這個領域尋求更大的突破和發展。

在昨天舉行的「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」活動上，集成電路專項技術總師葉甜春對外表示，國產14nm工藝已經攻克難關，將在明年投入量產。

葉甜春強調，通過2萬科技工作者9年的艱苦攻關，終於研製成功14nm刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水平，且通過了大生產線的嚴格考核，開始批量應用並出口到海外，實現了從無到有的突破，填補了產業鏈空白。

同時，製造工藝與封裝集成由弱漸強，技術水平飛速跨越，國際競爭力大幅提升。

此外，葉甜春還給出了接下來國產晶片的發展規劃，「十三五」將重點支持7-5nm工藝和三維存儲器等國際先進技術的研發。

之前產業鏈給出的消息稱，中芯國際已經開始啟動7nm工藝製程研發，並與北方華創、中微建立了長期合作關係。

目前，三星、TSMC及Intel已經完成了7nm工藝研發，準備在2018年後量產。

那麼，什麼是14nm的工藝呢？

這裡的「NM」指的是MOS電晶體的柵極長度。

這個長度用於表徵集成電路的集成度高低，尺寸越小，代表每個電晶體所占面積越小，那麼集成度就越高。

那麼，"NM"的數值的大小有什麼作用呢？

"NM"的數值越小，就代表這款處理器的集成度越高，代表更先進的製造工藝。

更先進的製造工藝會在處理器內部集成更多的電晶體，使處理器實現更多的功能和更高的性能。

更先進的製造工藝還會減少處理器的功耗，從而減少其發熱量，還能提升處理器的性能。

更先進的製造工藝是如何做到減少處理器的功耗和提升處理器的性能的呢？

縮減元器件之間的距離之後，電晶體之間的電容也會更低，從而提升它們的開關頻率。

那麼，由於電晶體在切換電子信號時的動態功率消耗與電容成正比，所以，它們才可以在速度更快的同時，做到更加省電。
這些更小的電晶體只需要更低的導通電壓，而動態功耗又與電壓的平方成反比，這時能效也會隨之提升。

當然，製造商們對於「極限」的追求是永無止境的。

或許在不遠的將來，我們就能迎來量產版的「單原子大小」工藝製程的晶片了。

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2020-09-12

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國產晶片14nm工藝已經攻克難關！很快就可以量產了！

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那麼，什麼是14nm的工藝呢？

那麼，"NM"的數值的大小有什麼作用呢？

更先進的製造工藝是如何做到減少處理器的功耗和提升處理器的性能的呢？

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