7nm火力全開，台積電創新高

來源：內容來自「先探投資周刊」，謝謝。

回顧去年台積電的股東會，創辦人張忠謀以感性的口吻說出：「我愛台積、再創奇蹟」，贏得在場股東們熱烈掌聲，同時也宣告後張忠謀時代的來臨。

如今一年多來，儘管面對美中貿易戰爭端，以及機台病毒、光阻液等事件，台積電在二位共同執行長劉德音與魏哲家領導之下，依然展現出強大的競爭實力，尤其，在7納米等先進位程上逐步拉大與對手差距；且股價創下掛牌新高價281元，總市值也攻上7.28兆台幣，寫下台股市值的新頁。

而台積電現在更是火力全開。

7納米火力全開

這波台積電股價之所以能夠如此強勢，主要歸因於多數外資法人看好台積電的7納米製程將從下半年到明年躍升為主要營運與獲利最大成長動力來源；再者，台積電從今年起實施季季配息的制度，明年起每股至少配發十元，現金股息平均殖利率達3％以上，吸引外資與長期資金(如主權基金、壽險、政府基金等)的青睞。

因此，紛紛上修今、明年的獲利預估值，並將目標價調升至300元以上(目前最高價上看至340元)。

台積電在7納米製程上，除了行動處理器方面有蘋果、華為、聯發科等客戶的大單加持之外，在個人電腦領域還有ＡＭＤ的處理器與繪圖晶片的訂單，使得7納米產能滿載，預計7納米製程(7納米、7納米+、六納米)到年底占整體營收比重將達到25％以上。

台積電八月營收受惠於旺季效應，一舉突破千億元大關，創下單月歷史新高，根據第二季法說會上，台積電對第三季的業績展望，預估季營收91到92億美元，較上季成長約18％。

若以一美元兌換新台幣31元的基礎來計算，營收約在2821到2852億元之間，可望改寫歷年同期新高。

綜觀各大外資對台積電的看法，普遍都認為7納米製程為重要共通點。

其中，摩根大通表示台積電7納米製程明年營收年增高達36％，是最大成長動能來源，尤其占整體營收比重來到32％，研判台積電所有的7納米產能，明年已經全數被客戶包走。

除了7納米之外，在5納米製程方面，進度也非常順利，今年下半年來更連續上調產能規劃，自約四．五萬片到五萬片月，再到7萬片，而5納米＋(plus)也預計在今年底前小量生產，全力朝明年第一季量產目標邁進。

法人看好，台積電明年可望獨拿蘋果與海思五納米訂單。

儘管近來競爭對手格羅方德(GlobalFoundries)對台積電控告侵權，但台積電也展開反擊，分別在美國、德國及新加坡三地控告格羅方德侵犯包括40納米、28納米、22納米、14納米及12納米等製程的25項專利。

事實上，外界普遍認為格羅方德與台積電二者的技術層次有相當大的落差，因此，此侵權案對台積電影響並不大。

對此，台積電也出面強調，有爭議的專利僅占台積電廣泛專利組合的一小部分，台積電目前全球擁有超過三萬7千項專利，並在去年已連續三年成為全美前十大發明專利權人；且已準備好在法庭上迎戰，也將成功捍衛公司的聲譽、龐大的投資、技術的創新與領先地位、公司的客戶及全世界的消費者。

布局先進封裝製程

過去只專注在晶圓代工業務的台積電，2009年跨入封裝領域；結合先進位程的晶圓代工，提供客戶從前段晶圓代工到後段封測的一站式服務。

目前台積電二大量產的封裝技術分別是InFO(整合扇出型封裝)及CoWoS(基板上晶圓上晶片封裝)。

InFO封裝技術其實就是FOWLP(Fan-Out Wafer level Package)，該技術是2008年由德國英飛凌(Infineon)提出的扇出型晶圓級封裝，特點是不需要ＩＣ基板，因此可以降低晶片的厚度，但因為良率無法完全克服等問題，當時的FOWLP技術被提出後，並沒有立刻成為業界主流。

直到台積電以FOWLP技術為基礎加以改良後，在2015年提出整合扇出型封裝(Integrated Fan-out, InFO)技術，將16納米的邏輯SoC晶片和DRAM晶片做整合，特別適合低功耗、強調散熱、體積小、高頻寬的應用，像是智慧型手機、平板電腦和物聯網晶片，並於2016年起做到量產，也成功獨拿蘋果大單。

為了滿足５Ｇ行動通訊需求，台積電開發了先進的整合扇出型天線封裝技術(InFO-AIP)，將射頻晶片與毫米波天線整合於一個扇出封裝。

InFO-AIP技術提供高性能、低功耗、小尺寸、低成本的解決方案，支援毫米波系統應用，例如５Ｇ行動以及虛擬實境(ＶＲ)無線通訊；此項技術也可支援快速演進的汽車雷達、自動駕駛及行車安全的應用。

至於在CoWoS封裝方面，是先進位程系統單晶片(SoC)與高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory；簡稱ＨＢＭ)異質整合的主要平台。

藉由高製造良率、更大矽中介層與封裝尺寸能力的增強、以及功能豐富的矽中介層，例如內含嵌入式電容器的矽中介層(Interposer)，使得台積電在CoWoS技術上的領先地位得以更加強化；目前華為海思、Nvidia、博通等都是台積電CoWoS客戶，未來也將整合上述兩個技術發展系統級整合晶片SoICs (System on Integrated Chips)。

隨著製程的進步，晶圓內的電晶體逐漸縮小，漸漸接近物理極限；而３Ｄ先進封裝被視為延伸摩爾定律的利器，透過晶片堆疊，提升晶片的功能。

3D IC封裝主要是因應異質整合(Heterogeneous integration)時代的來臨。

所謂的異質整合，簡單來說，就是將處理器、數據晶片、高頻記憶體、CMOS影像感應器與微機電系統等能封裝在一起。

異質整合此一概念早從1970年代就已開始，當時稱為ＭＣＭ(多重晶片模組)，主要是針對軍事與航太應用，整合三五族元件。

一直到2005年，隨著智慧型手機的興起，業界開始朝系統級封裝(SiP)發展，特別是針對手機所需的藍牙、WiFi以及多頻蜂巢式通訊技術，帶動了射頻模組的廣泛運用。

日前台積電已宣布完成全球首顆3D IC封裝，預計在2021年量產，無非就是針對異質整合晶片趨勢而來。

隨先進位程占比擴大，其先進位程封裝占比也會大幅提升，相信未來台積電在先進封裝製程能與專業封裝大廠相抗衡。

*免責聲明：本文由作者原創。

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