三星:公司3nm領先台積電一年,領先英特爾三年
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儘管日韓貿易衝突持續延燒,三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。
三星屆時預料將展示自家先進位程技術,並提供用於生產3納米以下晶片,名為「環繞閘極」(GAA)技術的製程套件。
三星據稱在GAA技術領先全球晶圓代工龍頭台積電一年,更超前英特爾(Intel)兩到三年。
南韓媒體BusinessKorea報導,三星28日宣布,2019年「三星晶圓代工論壇」(SFF)將如期於9月4日在東京舉行,且已於26日在網站上開始受理報名。
在日韓貿易緊張不斷升高之際,業界正懷疑這場論壇能否如期在東京舉行,三星這項決定消弭了外界的疑慮。
產業專家分析,三星想要傳達的訊息是,儘管面臨日本的「斷貨」威脅,三星電子旗下的晶圓代工事業不受中斷。
報導指出,三星將展示自家奈米製程技術,並提供名為「環繞閘極」(GAA)技術的製程套件。
GAA技術將用於3納米、甚至更精密的製程技術。
日本當局在4日加強管制三項重要半導體原料的出口,其中,日制光刻膠為極紫外光(EUV)微影技術的關鍵材料,讓三星的晶圓代工部門首當其衝,也削弱與台積電在7納米晶片的競逐能力。
EUV製程是三星欲在2030年於全球記憶體、無晶圓廠及晶圓代工業務穩坐龍頭寶座的關鍵。
在EUV製程與台積電旗鼓相當的三星電子,正快馬加鞭量產7納米晶片,盼能借提前進度超車台積電。
但日本本周非常可能把南韓踢出「白色名單」,三星的高科技原料進口預料將更加受限。
三星預定未來幾個月完成位於華城的第一條EUV晶片產線,並計劃之後在京畿道平澤建設另一條EUV產線。
如今,三星一名高階主管指出,「考量到當前情況,我們必須考慮投資新EUV產線的時機」。
三星電子自5月開始陸續在美國、上海及首爾舉辦晶圓代工論壇,待9月論壇落幕後,下一場將論壇於10月在德國慕尼黑登場。
台積電回應:有信心維持領先
面對三星積極衝刺晶圓代工,並企圖在3 納米製程超車台積電,台積電發言系統表示,不對競爭對手的技術發展做任何評論,並強調絕有信心在7納米、5納米,甚至3納米製程持續維持全球領先地位。
台積電供應鏈分析,台積電在製程推進深思熟慮,且有雄厚客戶群為後盾,讓台積電每推出一項先進位程,絕對滿足客戶的性價比,且不與客戶競爭,是領先群雄的最大利基。
台積電目前的7納米電晶體的密度,已非三星能匹敵,台積電遙遙領先三星後,再導入更先進的5納米製程,雖然三星急於想在3納米切入GAA電晶體設計架構,認為要用更先進的技術,搶食台積電現有客戶,但進入5納米後的光罩費用極為昂貴,更遑論3納米製程。
三星雖然在記憶體一直保持領先地位,因此也想複製記憶體成功模式,在晶圓代工挑戰台積電地位。
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