格芯推出12納米3D晶片，稱優於台積電7納米

來源：內容來自「雷鋒網」，謝謝。

去年，正在三星和台積電的7nm工藝臨陣待發時，GF突然公布了一項重要的戰略轉變，決定停止在7nm工藝技術的所有工作及後續製程的研發，將專注於為新興高增長市場的客戶提供專業的製造工藝，包括射頻晶片和嵌入式存儲晶片等低功耗領域。

不過，先進半導體製程的提升難度越來越大，無論英特爾還是台積電，都在通過先進封裝技術進一步提升性能。

目前看來，GF也加入其中。

這可能意味著半導體先進工藝的競爭，正在進入一個新的階段。

GF（GlobalFoundries，格羅方德）本周宣布，它已採用其12nm FinFET工藝製造出高性能3D Arm晶片。

GF認為，這些高密度3D晶片將為計算應用提供「新級別「的系統性能和能耗，例如AI / ML以及高端設備和無線解決方案。

」

3D晶片的競賽

測試晶片採用GF的12nm（12LP）FinFET工藝製造，同時在3D面中使用Arm的網狀互連技術。

這使得晶片更容易擴展出更多的核心數量，並且數據能夠更直接地從一個內核移動到另一個內核。

而3D晶片可以在數據中心、邊緣計算以及高端消費設備中降低延遲，提升數據傳輸速度。

「在大數據和認知計算時代，先進的封裝技術正在發揮比以往更大的作用。

人工智慧的發展對高能效，高吞吐量互連的需求，正在通過先進的封裝技術的加速發展來滿足。

「GF的平台首席技術專家John Pellerin在一份聲明中表示。

「我們很高興與Arm等創新合作夥伴合作，提供先進的封裝解決方案，進一步集成各種節點，優化邏輯尺寸，提高內存帶寬和射頻性能。

這項工作將使我們對採用先進的封裝技術產生新的見解，使我們共同的客戶能夠更有效地創建完整、差異化的解決方案。

「

兩家公司已經使用GF的晶圓級邦定（wafer-to-wafer bonding），驗證了3D設計測試（DFT，3D Design-for-Test）方法。

GF表示，該技術每平方毫米可以實現高達100萬個3D連接，使其具有高度可擴展性，並有望延長12納米3D晶片的使用壽命。

Arm是最近一家對3D晶片表現出興趣的IP公司之一。

英特爾去年宣布了其對3D晶片堆疊的研究，AMD也討論了在其晶片上的3D堆疊DRAM和SRAM，當然，快閃記憶體NAND公司已經生產了3D存儲晶片。

業界似乎致力在不久的將來製造更多3D晶片。

先進節點滯後，GF專注3D晶片

GF最近不得不承認它無法為AMD推出Zen 2晶片提供7nm工藝。

這極大地影響了兩家公司之間長達十年的關係。

當然，AMD仍然是GF的客戶，但比以前小得多。

GF不得不為未來重塑自我，因為摩爾定律已經放緩，縮小半導體工藝節點變得越來越困難和昂貴。

轉向3D晶片製造似乎有助於GF保持與客戶的關係，因為其客戶要求每年製造出更高性能的晶片。

由於12nm工藝更加成熟，因此在3D面上開發晶片應該更容易，而不必擔心新的7nm工藝可能帶來的問題。

然而，台積電、三星和英特爾能夠在比GF小得多的節點上開發3D晶片只是時間問題。

如果是這樣的話，GF可能不得不繼續專注於生產具有「老技」的高價值3D晶片。

*免責聲明：本文由作者原創。

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