莫大康：中國半導體不是「攪局者」

據日經中文網7月13日報導，世界的半導體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現在中國企業正試圖參與進來，而中國企業的巨額投資很有可能成為半導體市場混亂的風險因素。

在全球股市上，半導體相關股正在成為熱點。

美國費城半導體指數（SOX）在1100點左右，這是2000年IT泡沫以來的高水平。

但半導體產業正在步入一個未知的階段，其中一個要素就是中國。

矛頭指向中國有失公允

眾所周知，無論日經中文，或是西方的有些論點把矛頭指向中國半導體業是不公平的。

任何國家都有權決定自身的發展策略，而中國要發展半導體業是歷來已久，每年進口晶片金額在千億美元數量級，而自主生產才近10%，因此要改變不合理的現狀是一件天經地義的事。

客觀地說，此次中國半導體業的突破與之前大不同，它是首先抓住發展產業的命脈資金問題。

儘管「大基金」是國家基金，但是它釆用入股企業的方法，並要求投資取得回報，與國際上通用的作法是一致的，僅是數量上及時間點讓全球業界感覺「來勢洶洶」而己。

即便如此與全球領先者如三星，台積電等相比也是相形見拙，更何況它僅是一個計劃，未來真的能投入多少？以及在多長時間內能投得進去？尚需要觀察。

市場競爭與攪局者

只要是公平的市場競爭，有「攪局者」不一定是件「壞事」。

它改變現狀，推動市場競爭，在新的態勢下達到新的平衡，是產業進步的表現。

觀察近期全球半導體業的發展中，「攪局者」並不少見，是必然的趨勢。

如全球代工中，三星是異軍突起，也可看作是一家「攪局者」。

它揚言今年它的代工營收要超過居第二位的格羅方德，並要與代工老大台積電有一心比拼，顯見三星要改變全球代工的競爭格局。

在全球半導體設備業中，在今年的Semicon West中ASML重申它的EUV光刻機將很快步入實用化，在兩年內光源功率提升至產業要求的250瓦水平。

目前己在全球共安裝了14台，客戶包括英特爾，三星，台積電及格羅方德，未來尚有21台等待發貨，其中英特爾是大戶。

眾所周知，從全球半導體業的發展中先進工藝製程競賽一直是個」熱點」，台積電，三星，英特爾，甚至格羅方德都聲言可能走在前列，誰也不乾落後。

目前採用浸液式光刻方法己可達7納米，將於2018年實現量產，但是要使用三次或者四次圖形曝光工藝，它大大增加產品的周期與成本。

如果改用EUV光刻工藝，將有效的簡化產品設計，並與三次或者四次圖形曝光工藝相比較，從成本方面可能節省。

因此EUV光刻工藝的導入，在全球半導體業發展中是一次質的飛躍，是延伸「定律」的有力武器。

它有可能改變目前晶片製造商中前幾位的排名，並對未來半導體業的發展產生深遠的影響。

所以EUV光刻設備的導入也可看作是一個「攪局者」，而且是一個強有力的「攪局者」。

因此對於「誰是攪局者」不能有「雙重標準」，應該一視同仁，從根本上它們可能都是推動半導體業持續的進步。

中國廠商加入存儲器行列

歷史上在半導體業中，凡是打「翻身仗」都是從存儲器下手，己經實現過兩次，一次是日本超過美國，及另一次是韓國超過日本。

如今此次是中國半導體準備崛起，它的目的不一樣，也不可能有任何超越韓國存儲器老大的想法。

此次中國存儲器的突破，主要是為了自用，目的是提高晶片的國產化率。

據TrendForce的數據，2016年全球存儲器銷售額超過800億美元，而中國的市場大約消耗其中的25%以上。

為此中國半導體業為了減少進口，增加國產化率，目前有三股力量，包括長江存儲、合肥睿力及福建晉華，分別聚焦不同的存儲器產品。

就目前的進度，三家都處在建廠及技術與人才準備階段，實際上離開量產尚有一段距離，可能尚不能言及最終成功。

近20年以來，只看見有退出存儲器業的，如德國的奇夢達，以及美光兼并日本的爾必達，全球未見有任一新加入者，反映它的入門檻高，競爭太激烈。

所以此次中國半導體業要突破存儲器引起全球業界的警覺是合乎情理的，但是也要客觀與公正，不應該扼殺中國半導體的自主需求。

在全球存儲器業中，可能相對競爭更為激烈，一方面是DRAM繼續向1x納米進軍，從縮小尺寸角度，15納米可能是極限。

三星肯定走在最前面，目前它擁有DRAM及NAND快閃記憶體產能各有40萬片(12 inch WPM)。

而另一方面在2D NAND向3DNAND轉移中，三星、美光、東芝、西數、海力士等都揚言近期要開始64層3D NAND的量產出貨，並全力向96層 3DNAND挺進。

而中國的長江存儲是一個「新進者」，它僅是可能於2018年出貨32層 3DNAND，離開三星等的差距至少2代以上。

分析天時，地利與人和在中國似乎都具備了一定的條件，但是在存儲器晶片製造的突破時必須十分清醒，僅擁有大的市場與足夠的投資可能還不一定能獲得最後的成功，它需要有專業人材的配合及詳情的專利應對策略，並要有一股氣勢與勇氣，關鍵是能把製造成本降下來，需要加強晶片生產線的嚴格管理。

至此對於中國存儲器業的突破，外界幾乎都並不看好。

然而在全球存儲產業進行大轉移的時刻，中國半導體業主要為了自用，勇於加入，希望能得到一個公平競爭的機會。

而且現階段儘管中國半導體業有三股力量在集結，但是從理性分析，在2020年之前這些晶片生產線仍處在產能爬坡階段，它們的銷售額都不會太高。

全球存儲器業總是周期性的起伏，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功。

儘管Gartner按以往的經驗進行了預測，認為2019年時存儲器業可能進入下降周期。

顯然中國的存儲器不可能趕上2019年之前的榮景，把希望寄於在下一波存儲器的上升周期中能有令人滿意的表現。

中國半導體業在存儲器中的突破，首先是為了滿足自用需求，與三星等先進廠商之間尚有很大的差距，也沒有實力來挑戰台積電，三星及英特爾等巨頭。

但是由於中國的加入，全球存儲器業中後幾位的排名可能會發生改變。

中國半導體業必須十分淸醒，一定要循序前進，尊重智慧財產權，與全球存儲器業者開展公平的競爭，爭取做一名受同仁尊敬的「攪局者」。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1338期內容，歡迎關注。

R

eading