挑戰物理極限！台積電官宣：3nm工藝要成
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雖然10納米以下晶片製造工藝的突破變得更加困難，但以台積電為代表的行業領先企業並沒有放慢研發步伐。
該公司上周表示，其3納米工藝進展順利。
目前，台積電已經找到了發展之路，並已開始聯繫早期客戶。
在為投資者和金融分析師召開的電話會議上，台積電執行長兼聯合主席CC Wei宣布了這一消息。
他說：「我們公司在N3節點的技術開發方面取得了良好的進展，並且已經就技術定義與早期客戶進行了接觸。
我們希望3nm工藝能夠進一步提升台積電未來的行業領導地位。
」
由於N3技術仍處於早期開發階段，台積電尚未討論具體功能及其優於N5的優勢。
該公司表示，它已經評估了所有可能的電晶體結構選項，並沒有提供非常好的解決方案。
N3規範正在開發中，台積電認為它將滿足其業界領先的合作夥伴客戶的要求。
實際上，台積電已經確認N3將是一個全新的過程，而不是N5的簡單改進或疊代。
作為公司的主要競爭對手之一，三星計劃採用3nm（3GAAE）技術。
同時，TSMC 3nm節點肯定會使用深紫外（DUV）和極紫外（EUV）光刻設備。
由於TSMC的N5工藝使用14層EUV，因此N3使用的層數可能更高。
作為全球最大的半導體合約製造商，它似乎對EUV的進展非常滿意，並認為該技術對其未來發展至關重要。
台積電：3nm EUV工藝進展順利 已開始接觸早期客戶
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