台積電總裁魏哲家:3nm EUV工藝進展順利
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7月24日消息,近日,台積電總裁暨副董事長魏哲家(CC Wei)宣布,其3nm EUV工藝進展順利,並已經與早期客戶就技術定義進行了接觸。
EUV光刻全稱為Extreme Ultraviolet Lithography,是一種極紫外線光刻工藝。
晶片製造商通過EUV光刻技術,能夠持續生產更小、更快、更強大的晶片,同時還能有效控制成本。
所以大家熟知的虛擬現實(VR)、自動駕駛、物聯網等技術,都有賴於光刻技術的發展。
儘管突破10nm以下的晶片製造工藝,愈加艱難,但是台積電在該領域的前進步伐不曾放緩。
就在今年4月份的時候,台積電宣布其採用EUV的5nm工藝已處於風險生產階段,且與7nm工藝相比,相同的Cortex-A72內核實現了1.8倍的密度提升以及15%的速度提升。
時隔不到4個月,台積電總裁魏哲家又宣布,他們在N3(3nm工藝)節點的技術開發進展順利,且已經開始接觸早期客戶。
不過,因N3(3nm工藝)技術目前仍處於早期開發階段,故台積電尚未談及其具體特徵及優勢。
台積電作為全球知名的半導體合約製造商,對於自己EUV工藝進展表示十分滿意,並表示希望3nm製程能夠進一步穩固其在未來行業之中的領導地位。
本文編輯:程金平
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