台積電：3nm EUV工藝進展順利 已開始接觸早期客戶
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儘管 10 nm 以下晶片製造工藝的突破已經愈加艱難，但以台積電為代表的業內領先企業，並沒有因此而放緩研發的步伐。
該公司上周表示，其 3nm 工藝的開發進展順利。
目前看來，台積電已經摸清了道路，且已經開始接觸早期客戶。
在面向投資者和金融分析師的電話會議上，台積電執行長兼聯合主席 CC Wei 宣布了這一消息。
（圖自：TSMC，via AnandTech）
他表示：「我司在 N3 節點的技術開發上進展很順利，並且已經與早期客戶就技術定義進行了接觸。
我們希望 3nm 製程可進一步加大台積電在未來的行業領導地位」。
因 N3 技術仍處於早期開發階段，台積電目前尚未談及具體的特徵、及其相較於 N5 的優勢。
該公司稱已評估所有可能的電晶體結構選項，並未客戶提供了非常好的解決方案。
N3 規範正在開發之中，台積電相信它將滿足其業內領先的合作客戶的要求。
事實上，台積電已確認 N3 將是全新的工藝，而不是 N5 的簡單改進或疊代。
作為該公司主要競爭對手之一的三星，則計劃採用 3nm（3GAAE）技術。
同時可以肯定的是，台積電 3nm 節點將同時使用深紫外（DUV）和極紫外（EUV）光刻設備。
由於台積電的 N5 工藝使用了 14 層 EUV，因此 N3 使用的層數可能會更高。
作為全球最大的半導體合約製造商，其似乎對 EUV 的進展感到非常滿意，並認為該技術對其未來的發展至關重要。
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