IMEC新型光刻技術獲得巨大進展，3納米晶片研製也將突破
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發展高端晶片，需要多個行業、環節的配合發力，而在設計、製造上面，因為我們在先期缺少足夠的重視，導致現在長時間處於落後狀態。
就以現階段的狀況來說，最為緊迫的就是在高製程光刻機的發展方面，我們落後很多，西方國家現在最為高端的光刻機由荷蘭的ASML生產，晶片工藝製程已經突破了5納米，而我們國家的光刻機還在28納米上奮鬥。
雖然我們一些晶片工廠已經在14納米的製造工藝上獲得了突破，但是光刻機的來源基本上都還是ASML的，這個也可以反映出來ASML的高端光刻機領域的絕對霸主地位，我們要想實現超越，即使是追趕上，也需要很大的困難，絕對不是一時半會兒可以做到的事情。
而讓大家更需要注意的是，我們的追趕並不是意味著別人的等待，雖然在「摩爾定律」的束縛下，人們獲得更高製程的突破已經難上加難，但是並不是意味著沒有提升的空間了，而就在近日，西方的一個光刻實驗室就已經獲得了突破：3納米光刻技術！
據悉，獲得此次突破的實驗室是位於歐洲的微電子研究中心IMEC，這次主要的技術成功就是開發出了一種新型的EUV光刻技術：高次諧波光刻技術，該技術的不但可以助力5納米光刻技術的發展，更是有利於突破3納米光刻。
是不是感覺對這樣消息既驚訝又無奈？驚訝的是沒想到人們距離攻克3nm光刻竟然是如此快的速度，而無奈的是我們現在在14納米上還存在重重困難。
而讓大家更有點無奈的是，其實，歐洲微電子研究中心IMEC和ASML合作非常緊密，這次IMEC的厲害突破，基本上也意味著是ASML的突破了！
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